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关于《半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管》国家标准修订项目的立项报告

摘要

本报告旨在阐述《半导体器件分立器件第4部分：微波二极管和晶体管》国家标准修订项目的核心内容。随着信息技术与国防科技的飞速发展，微波二极管和晶体管作为核心电子元器件的战略地位日益凸显。本次修订旨在全面对接国际电工委员会（IEC）最新标准IEC60747-4Ed2.1:2017，对已实施十余年的现行国家标准GB/T20516-2006进行系统性更新与完善。修订工作将显著扩充标准覆盖的产品种类，细化并统一关键电参数的测试与验证方法，从而有效指导国内相关产品的研发、生产、检验与应用，提升我国在该高技术领域的标准化水平与国际竞争力，保障产业链供应链的自主可控与安全稳定。

要点列表

1.项目性质：国家标准修订项目，旨在替代GB/T20516-2006。

2.国际对标：采标对象由IEC60747-4Ed1.0:2001升级为IEC60747-4Ed2.1:2017，实现与国际标准同步。

3.核心更新：

*标准名称更精确，聚焦于“微波二极管和晶体管”。

*大幅扩充技术内容，新增PIN二极管、噪声二极管、双极型晶体管等章节。

*对场效应晶体管章节进行了全面细化，增加了关键术语、测试方法和验证方法。

4.关键作用：统一国内微波分立器件的电参数体系、测试与验证方法，为行业提供权威技术依据。

5.应用领域：直接服务于国防工程、武器装备、移动通信、雷达系统等对高性能微波器件有迫切需求的关键领域。

目的与意义

本次标准修订具有重大的技术、产业和战略意义。

首先，是适应技术发展与产业升级的迫切需求。微波二极管和晶体管是构成现代信息化装备，如相控阵雷达、卫星通信、5G/6G基站、电子对抗系统的基石。自2006版标准发布以来，半导体材料、工艺和器件设计取得了革命性进步，新产品、新应用层出不穷。原标准基于二十年前的国际版本，其涵盖的产品种类、定义的性能参数和测试方法已严重滞后，无法准确评价和指导当前高性能微波器件的生产与选用，制约了产业的技术进步和产品质量提升。

其次，是统一行业规范、保障产品质量的关键举措。制定并修订该标准，核心目的在于建立一套科学、完整、统一的电参数指标体系及与之配套的测试与验证方法。这将结束国内市场上因标准不一可能导致的技术指标混乱、测试结果不可比对的局面，为器件制造商、检测机构和最终用户提供共同遵循的技术语言和评判基准。有利于降低研发与交易成本，提升产品可靠性和一致性，促进产业链上下游的高效协作。

最后，是提升国际标准话语权、支撑科技自立自强的战略需要。通过等同采用或修改采用最新的IEC国际标准，使我国国家标准保持与国际前沿同步，有利于国内产品和技术顺利进入国际市场，参与全球竞争。同时，通过将国内先进技术和产业实践融入标准，也为未来向国际标准输出中国方案奠定基础。在涉及国防安全等敏感领域，拥有自主、先进、适用的国家标准，是摆脱外部依赖、实现核心元器件自主可控的重要保障。

关于全国半导体器件标准化技术委员会

本标准的归口管理单位为全国半导体器件标准化技术委员会。该委员会是经国家标准化管理委员会批准成立的，在全国范围内负责半导体器件领域标准化工作的专业技术组织。

*职责与职能：委员会主要负责半导体器件（包括集成电路、分立器件、传感器等）国家标准和行业标准的规划、起草、技术审查、宣贯、解释以及国际标准化对口工作。其工作覆盖从材料、芯片到封装测试的全产业链环节。

*组织结构：通常下设若干分技术委员会，例如分立器件分技术委员会，专门负责像本标准所涉及的分立器件类的标准化工作。委员会成员由来自领先企业、科研院所、检测认证机构、高校的专家和学者组成，确保标准的专业性、权威性和广泛代表性。

*与本项目的关系：作为本项目的主管机构，全国半导体器件标准化技术委员会负责本标准的立项评审、组织起草、征求意见、技术审查和报批全过程，确保标准修订工作严谨、规范，最终产出高质量的国家标准，以履行其引领和规范行业发展的核心使命。

范围与主要技术内容

本标准规定了各类微波二极管（如变容二极管、PIN二极管、噪声二极管等）、微波双极型晶体管和微波场效应晶体管的技术要求。

主要技术内容包括：

1.术语与定义：对标准中涉及的专用术语和技术概念进行明确定义。

2.基本额定值与特性：规定各类微波二极管和晶体管的基本极限值（如电压、电流、功耗）和特性参数。

3.测试方法：详细规定各项电特性参数（如S参数、噪声系数、功率增益、击穿电压等）的测量原理、测试电路和操作步骤。本次修订特别增加了如“漏-源短路时的栅极电流”、“栅-漏击穿电压”等关键参数的测试方法。

4.验证方法：为确保测试结果的一致性和可靠