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2025年晶圆厂面试题目及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.在晶圆制造过程中，光刻工艺的关键步骤之一是将光刻胶均匀涂覆在晶圆

表面，以下哪种涂覆方法能够在保证光刻胶厚度均匀性的同时，适应不同尺寸晶圆

的生产需求，且具有较高的生产效率？

A.旋转涂覆法，通过高速旋转晶圆使光刻胶在离心力作用下均匀分布，可根

据晶圆尺寸调整旋转速度和光刻胶用量，适用于多种尺寸晶圆，生产效率较高。

B.喷涂法，利用喷枪将光刻胶雾化后喷涂在晶圆表面，能快速覆盖大面积，

但厚度均匀性较难控制，且对喷枪的精度要求高。

C.浸渍涂覆法，将晶圆浸入光刻胶溶液中，然后缓慢取出，这种方法操作简

单，但涂覆厚度受溶液黏度和取出速度影响大，不适合大规模生产。

D.刷涂法，使用刷子将光刻胶涂抹在晶圆表面，该方法适用于小面积涂覆，

对于大面积晶圆涂覆效率低且均匀性差。

2.晶圆制造中的化学机械抛光（CMP）工艺，主要用于全局平坦化，其原理是

通过化学腐蚀和机械研磨的协同作用去除晶圆表面的材料。在CMP过程中，以下哪

种因素对抛光速率和表面质量影响最大？

A.抛光压力，适当增加抛光压力可以提高材料去除速率，但过大的压力可能

导致晶圆表面划痕和损伤，影响表面质量。

B.抛光液的pH值，不同的pH值会影响抛光液中化学物质的活性，从而改变

化学腐蚀的速率和选择性，对抛光效果有显著影响。

C.抛光垫的材质和表面结构，不同材质的抛光垫具有不同的硬度和弹性，表

面结构也会影响抛光液的分布和材料去除机制。

D.晶圆的旋转速度，旋转速度会影响抛光液的流动和材料去除的均匀性，但

相对其他因素，其对抛光速率和表面质量的影响较小。

3.以下哪种半导体材料在高温环境下具有更好的稳定性和电学性能，适合用

于制造高性能的晶圆器件，尤其是在航空航天、汽车电子等对温度要求较高的领域？

A.硅（Si），是目前最常用的半导体材料，具有良好的加工性能和较低的成

本，但在高温下其本征载流子浓度会显著增加，导致性能下降。

B.锗（Ge），锗的载流子迁移率比硅高，但锗的禁带宽度较窄，在高温下容

易出现漏电现象，稳定性不如其他一些材料。

C.碳化硅（SiC），碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优点，在高

温环境下能保持较好的电学性能和稳定性，是高温应用的理想材料。

D.砷化镓（GaAs），砷化镓的电子迁移率高，常用于高速器件，但它的热稳

定性相对较差，在高温下容易分解。

4.在晶圆清洗工艺中，为了去除晶圆表面的有机污染物和金属杂质，通常会

采用多种清洗方法组合。以下哪种清洗方法能够有效去除晶圆表面的重金属离子，

同时避免引入新的杂质？

A.超声波清洗，利用超声波的空化效应产生微小气泡，气泡破裂时产生的冲

击力可以去除晶圆表面的颗粒污染物，但对重金属离子的去除效果有限。

B.兆声波清洗，兆声波清洗的频率比超声波更高，能够更有效地去除微小颗

粒和有机污染物，但对于重金属离子的去除能力也较弱。

C.湿法清洗，使用化学试剂如过氧化氢、硫酸、氨水等组成的清洗液，通过

化学反应去除有机污染物和金属杂质，其中一些特定的清洗液配方可以有效去除重

金属离子。

D.等离子体清洗，利用等离子体中的活性粒子与晶圆表面的污染物发生反应，

将其转化为挥发性物质去除，主要用于去除有机污染物，对重金属离子的去除效果

不明显。

5.晶圆制造过程中的光刻对准系统，需要高精度地将光刻掩膜版上的图案与

晶圆上的标记对准。以下哪种对准技术具有更高的对准精度和稳定性，能够满足先

进制程的要求？

A.光学对准技术，利用光学成像原理，通过检测晶圆上的标记和掩膜版上的

对准标记之间的相对位置进行对准，精度可以达到亚微米级别。

B.激光对准技术，使用激光束照射晶圆和掩膜版上的标记，通过检测激光反

射光的特征来确定对准位置，具有较高的精度和速度。

C.电子束对准技术，利用电子束扫描晶圆和掩膜版上的标记，通过检测电子

束的散射信号来实现高精度对准，对准精度可以达到纳米级别。

D.电容式对准技术，通过测量晶圆和掩膜版之间的电容变化来确定对准位置，

该技术受环境因素影响较大，精度相对较低。

6.在晶圆制造的扩散工艺中，杂质原子通过热扩散的方式进入半导体晶圆内

部，以改变其电学性能。以下哪种杂质扩散方式能够更精确地控制杂质的浓度分布

和扩散深度，适用于制造高性能的集成电路？

A.预淀积扩散，先在晶圆表面形成一层含有杂质的薄膜，然后通过高温退火

使杂质向晶圆内部扩散，这种方法可以初步控制杂质的总量，但对扩散深度和浓度

分布的精确控制较难。

B.推进扩散，在预淀积的基础上，进一步通过高温退火使杂质在晶圆内部更

均匀地扩散，能够在一定程度上改善浓度分布，但仍然存在一定的局限性。

C.离子注入扩散，