半导体物理基础：半导体器件模型_（6）.双极型晶体管：结构、工作原理与小信号模型.docxVIP

PAGE1

PAGE1

双极型晶体管：结构、工作原理与小信号模型

1.双极型晶体管的基本结构

双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,BJT）是一种三端半导体器件，广泛应用于放大、开关和信号处理等电路中。BJT的基本结构包括两个p-n结，形成三个区域：发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）。根据掺杂类型的不同，BJT可以分为NPN型和PNP型。

1.1NPN型双极型晶体管

NPN型双极型晶体管由三个区域组成：-发射区（Emitter,E）：高度掺杂的n型半导体。-基区（Base,B）：轻度掺杂的p型半导体。-集电区（Collector,C）：中度掺杂的n?型半导体。

1.2PNP型双极型晶体管

PNP型双极型晶体管同样由三个区域组成：-发射区（Emitter,E）：高度掺杂的p型半导体。-基区（Base,B）：轻度掺杂的n型半导体。-集电区（Collector,C）：中度掺杂的p型半导体。

1.3双极型晶体管的符号表示

NPN型和PNP型双极型晶体管在电路图中的符号表示如下：

NPN:

C

|

|B

|/

|/

E

PNP:

E

|

|B

|\

|\

C

其中，C为集电极，B为基极，E为发射极。

2.双极型晶体管的工作原理

双极型晶体管的工作原理基于两个p-n结的不同偏置状态。根据偏置状态的不同，BJT可以工作在三种主要模式：截止区、放大区和饱和区。

2.1截止区

在截止区，基极-发射极（BE）和基极-集电极（BC）结都处于反向偏置状态。此时，基极电流IB接近于零，集电极电流IC

2.2放大区

在放大区，基极-发射极（BE）结处于正向偏置状态，而基极-集电极（BC）结处于反向偏置状态。此时，基极电流IB很小，但集电极电流IC可以通过基极电流IB进行控制，且IC≈β

2.3饱和区

在饱和区，基极-发射极（BE）结和基极-集电极（BC）结都处于正向偏置状态。此时，集电极电流IC

3.双极型晶体管的小信号模型

小信号模型是用于分析双极型晶体管在放大区工作时的线性化模型。通过小信号模型，可以简化晶体管电路的分析，特别是对于高频和低频信号的放大特性。小信号模型主要包括两种模型：h参数模型和π参数模型。

3.1h参数模型

h参数模型是一种基于端口分析的模型，适用于低频和中频信号的分析。该模型将晶体管等效为一个包含四个参数的二端口网络，这些参数分别是：-hie：输入电阻-hfe：电流增益-hre

3.1.1h参数模型的等效电路

对于NPN型晶体管，h参数模型的等效电路如下：

+Vcc

|

|

C

|

h_oe

|

|

||

h_re|

||

||

||

h_fe|

||

||

||

|

h_ie

|

|

E

|

|

-Vee

3.2π参数模型

π参数模型是一种基于晶体管内部物理结构的模型，适用于高频信号的分析。该模型将晶体管等效为一个包含三个电阻和两个电容的电路，这些参数分别是：-rπ：基极-发射极电阻-gm：跨导-ro：输出电阻-Cπ：基极-发射极电容

3.2.1π参数模型的等效电路

对于NPN型晶体管，π参数模型的等效电路如下：

+Vcc

|

|

C

|

r_o

|

|

||

C_{\mu}|

|