半导体物理基础：半导体器件模型_（4）.半导体中的非平衡载流子：产生、复合与寿命.docxVIP

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半导体中的非平衡载流子：产生、复合与寿命

1.非平衡载流子的产生

1.1光生载流子

在半导体材料中，当光子能量大于或等于半导体的带隙能量时，光子可以被半导体吸收，从而产生电子-空穴对。这种过程称为光生载流子（photo-generatedcarriers）。光子被吸收后，价带中的电子跃迁到导带，同时在价带中留下一个空穴。这两个载流子处于非平衡状态，因为它们是由于外加光子的激发而产生的，而不是由于热平衡过程。

1.1.1光吸收过程

光吸收过程可以通过以下公式描述：

P

其中P是光生载流子的产生率，α是光吸收系数，I是入射光的强度。

1.2电荷注入

电荷注入（chargeinjection）是另一种产生非平衡载流子的方式。当半导体与金属或其他半导体接触时，由于能级不匹配，电子可以从一个系统注入到另一个系统中。这种注入可以是通过电场驱动的，也可以是通过化学反应实现的。

1.2.1电场驱动的注入

电场驱动的注入可以通过以下公式描述：

J

其中J是注入电流密度，q是电子电荷，μ是电子迁移率，n是电子浓度，E是电场强度。

1.3热激发

热激发（thermalexcitation）是半导体中载流子产生的另一种方式。在高温下，由于热能的增加，价带中的电子可以获得足够的能量跃迁到导带，从而产生非平衡载流子。热激发的过程可以通过以下公式描述：

n

其中n是电子浓度，n0是本征载流子浓度，Eg是带隙能量，kB是玻尔兹曼常数，

2.非平衡载流子的复合

2.1直接复合

直接复合（directrecombination）是指电子直接从导带跃迁回价带，与价带中的空穴复合。这种复合过程通常发生在带隙较窄的半导体中，因为能量差较小，电子和空穴更容易复合。

2.1.1直接复合的速率

直接复合的速率可以通过以下公式描述：

R

其中R是复合速率，B是直接复合系数，n是电子浓度，p是空穴浓度。

2.2间接复合

间接复合（indirectrecombination）是指电子通过中间能级（如局部态）与空穴复合。这种复合过程通常发生在带隙较宽的半导体中，因为直接复合的概率较低。

2.2.1间接复合的速率

间接复合的速率可以通过以下公式描述：

R

其中R是复合速率，A是单级复合系数，C是双级复合系数，n是电子浓度，p是空穴浓度。

2.3表面复合

表面复合（surfacerecombination）是指载流子在半导体表面与表面缺陷或吸附物复合。这种复合过程对半导体器件的性能有重要影响，特别是在低浓度载流子的情况下。

2.3.1表面复合的速率

表面复合的速率可以通过以下公式描述：

R

其中Rs是表面复合速率，S是表面复合速度，n是电子浓度，p是空穴浓度，ni是本征载流子浓度，Dn和Dp分别是电子和空穴的扩散系数，τn

3.载流子的寿命

3.1定义和重要性

载流子的寿命（carrierlifetime）是指载流子在非平衡状态下的平均存在时间。寿命是半导体器件性能的重要参数，因为它决定了载流子在器件中的输运行为和响应时间。

3.2影响因素

载流子的寿命受多种因素的影响，包括材料的纯度、缺陷密度、温度等。这些因素可以通过以下公式描述：

τ

其中τ是总寿命，τ0是本征寿命，τdef是缺陷引起的寿命，τ

3.3寿命的测量方法

寿命的测量可以通过多种方法实现，其中最常用的是光电导衰减法（photoconductivedecay）和瞬态光电压法（transientphotovoltage）。

3.3.1光电导衰减法

光电导衰减法通过测量光生载流子引起的光电导变化来确定载流子的寿命。具体步骤如下：1.用短脉冲光照射半导体，产生非平衡载流子。2.测量光电导的初始值和随时间的衰减曲线。3.通过拟合衰减曲线来确定载流子的寿命。

3.3.2瞬态光电压法

瞬态光电压法通过测量光生载流子引起的光电压变化来确定载流子的寿命。具体步骤如下：1.用短脉冲光照射半导体，产生非平衡载流子。2.测量光电压的初始值和随时间的衰减曲线。3.通过拟合衰减曲线来确定载流子的寿命。

3.4寿命的计算模型

寿命的计算可以通过多种模型实现，其中最常用的是Shockley-Read-Hall(SRH)模型和Auger复合模型。

3.4.1Shockley-Read-Hall(SRH)模型

SRH模型描述了载流子通过深能级陷阱复合的过程。模型的公式如下：

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其中Nt是陷阱密度，τ0是本征寿命，n0和p0

3.4.2Auger复合模型

Auger复合模型描述了载流子通过三体复合过程复合的过程。模型的公式