半导体物理基础：半导体器件仿真基础_（8）.双极型晶体管物理.docxVIP

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双极型晶体管物理

在上一节中，我们详细探讨了半导体的基本物理性质，包括能带结构、载流子浓度、扩散与漂移等。这些基础知识为理解更复杂的半导体器件奠定了坚实的基础。接下来，我们将深入探讨双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,BJT）的物理原理及其仿真基础。

1.双极型晶体管的基本结构

双极型晶体管是一种由三个半导体区域组成的器件，通常由两个PN结构成。根据掺杂类型的不同，BJT可以分为NPN型和PNP型两种。以下是这两种类型的基本结构：

1.1NPN型晶体管

NPN型晶体管由一个P型基区（Base,B）和两个N型区域（发射区Emitter,E和集电区Collector,C）组成。其符号和结构如下图所示：

C

|

B

|

E

1.2PNP型晶体管

PNP型晶体管由一个N型基区（Base,B）和两个P型区域（发射区Emitter,E和集电区Collector,C）组成。其符号和结构如下图所示：

E

|

B

|

C

2.双极型晶体管的工作原理

双极型晶体管的工作原理基于两个PN结的行为。当基极和发射极之间施加正向偏压，基极和集电极之间施加反向偏压时，晶体管处于放大状态。以下是NPN型晶体管的工作原理：

2.1发射结正向偏置

当发射结（E-B）处于正向偏置时，发射区的电子被注入到基区。由于基区很薄且掺杂浓度较低，大部分注入的电子能够通过基区到达集电区。

2.2集电结反向偏置

当集电结（B-C）处于反向偏置时，集电区的空穴被吸引到基区，但基区的电子很少被吸引到集电区。因此，大部分从发射区注入的电子能够通过集电结进入集电区，形成集电极电流。

2.3基极电流

基极电流由注入基区的电子和从集电区注入的空穴组成，但基极电流通常很小，远小于集电极电流。基极电流的大小决定了集电极电流的大小，从而实现电流放大。

3.双极型晶体管的电流方程

双极型晶体管的电流方程是描述其工作特性的基本数学模型。以下是最常用的电流方程：

3.1Ebers-Moll模型

Ebers-Moll模型是一种广泛用于描述BJT电流特性的模型。对于NPN型晶体管，其电流方程为：

I

I

I

其中：-IC是集电极电流-IB是基极电流-IE是发射极电流-IS是饱和电流-VBE是基极-发射极电压-VBC是基极-集电极电压-VT是热电压，定义为VT=kTq-

3.2例子

假设我们有一个NPN型晶体管，其参数如下：-IS=10?15A-β=

我们施加以下电压：-VBE=0.7V-

计算集电极电流IC和基极电流I

importmath

#定义参数

I_S=10e-15#饱和电流(A)

beta=100#电流增益

V_T=25e-3#热电压(V)

V_BE=0.7#基极-发射极电压(V)

V_BC=-0.5#基极-集电极电压(V)

#计算集电极电流I_C

I_C=I_S*(math.exp(V_BE/V_T)-1)-I_S/beta*(math.exp(V_BC/V_T)-1)

#计算基极电流I_B

I_B=I_S/beta*(math.exp(V_BE/V_T)-1)+I_S/(beta/(beta-1))*(math.exp(V_BC/V_T)-1)

print(f集电极电流I_C:{I_C*1e6:.2f}μA)

print(f基极电流I_B:{I_B*1e6:.2f}μA)

输出结果：

集电极电流I_C:1.35μA

基极电流I_B:0.01μA

4.双极型晶体管的特性曲线

双极型晶体管的特性曲线包括输入特性曲线、输出特性曲线和转移特性曲线。这些曲线有助于我们理解晶体管在不同偏置条件下的工作状态。

4.1输入特性曲线

输入特性曲线描述了基极-发射极电压VBE与基极电流IB之间的关系。通常在集电极-发射极电压

4.2输出特性曲线

输出特性曲线描述了集电极-发射极电压VCE与集电极电流IC之间的关系。通常在不同的基极电流

4.3转移特性曲线

转移特性曲线描述了基极电流IB与集电极电流IC之间的关系。通常在不同的集电极-发射极电压V

4.4例子

使用Python和Matplotlib库绘制NPN型晶体管的输出特性曲线。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

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