半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（7）.电迁移在不同材料和结构中的表现.docx

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电迁移在不同材料和结构中的表现

在半导体器件的可靠性分析中，电迁移（Electromigration,EM）是一个重要的考虑因素。电迁移是指在电流的作用下，金属导线中的原子发生迁移的现象，这种现象会导致导线的微观结构变化，从而影响器件的性能和寿命。不同材料和结构的导线在电迁移中的表现差异显著，了解这些差异对于设计和优化半导体器件具有重要意义。

1.金属材料的电迁移特性

1.1铝导线的电迁移

铝（Al）是早期半导体器件中常用的互连材料，因为其良好的导电性、较低的成本和易于加工的特性。然而，铝导线在高电流密度下容易发生电迁移现象。电迁移会导致铝导线中出