半导体器件可靠性分析：电迁移分析_（8）.电迁移对器件性能的影响.docx

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电迁移对器件性能的影响

引言

电迁移（Electromigration,EM）是半导体器件可靠性分析中的一个重要课题。它是指在高电流密度条件下，导电材料中的原子由于电子风效应（electronwindeffect）而发生迁移，导致金属互连线或接触点的结构变化和功能失效。电迁移不仅影响器件的长期可靠性，还可能导致器件性能的显著下降。本节将详细探讨电迁移对半导体器件性能的影响，包括电迁移的机制、影响因素以及具体的表现形式。

电迁移的机制

电子风效应

电迁移的根本原因是电子风效应。当电流通过金属导线时，电子在电场的作用下移动，产生一个动量传递给金属原子。