半导体物理基础：载流子输运理论_（2）.能带理论简介.docxVIP

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能带理论简介

引言

能带理论是固态物理学中一个非常重要的概念，尤其是在半导体物理学中。它描述了固体材料中电子的能级结构，这对于理解半导体中的载流子输运机制至关重要。本节将详细介绍能带理论的基本原理，包括晶格周期性势场、布洛赫定理、能带结构以及能带理论在半导体中的应用。

晶格周期性势场

在固体材料中，原子以一定的周期性排列形成晶格。这种周期性排列导致电子感受到一个周期性的势场。周期性势场可以用数学函数表示为：

V

其中，R是晶格矢量，表示晶格的周期性。

晶格矢量

晶格矢量R是通过晶格基矢a1

R

其中，n1

周期性势场的数学表示

周期性势场可以用傅里叶级数展开：

V

其中，G是倒格子矢量，表示为：

G

b1

a

其中，δi

布洛赫定理

布洛赫定理是能带理论的基础，它描述了电子在周期性势场中的波函数特性。布洛赫定理指出，电子的波函数可以表示为：

ψ

其中，k是波矢，uk

u

布洛赫定理的推导

布洛赫定理可以通过求解薛定谔方程来推导。考虑电子在周期性势场中的运动，薛定谔方程为：

?

由于Vr是周期性的，可以假设波函数ψ

ψ

通过代入和求解，可以得到布洛赫波函数的形式。

能带结构

能带结构描述了电子在固体材料中的能级分布。在能带理论中，电子的能级不再是孤立的，而是形成连续的能带。能带结构可以通过求解电子的薛定谔方程来得到。

能带的形成

在周期性势场中，电子的能级不再是孤立的，而是形成能带。每个能带对应于一个波矢k的范围，能带之间的间隔称为禁带。

能带的分类

能带可以分为导带和价带：-导带：电子可以自由移动的能带，通常位于较高能量。-价带：电子被束缚在原子周围的能带，通常位于较低能量。

能带结构的求解

能带结构的求解通常使用紧束缚近似或平面波展开方法。其中，紧束缚近似是一种简化的方法，适用于近邻原子间相互作用较强的材料。

紧束缚近似

紧束缚近似假设每个原子的波函数只受到其近邻原子的影响。电子的波函数可以表示为：

ψ

其中，?r?R

例子：一维周期性势场的能带结构

假设一个一维晶格，晶格常数为a，周期性势场为：

V

可以使用紧束缚近似求解能带结构。具体步骤如下：

定义单个原子的波函数：

?

其中，α是一个常数，表示波函数的衰减率。

构建波函数：

ψ

求解薛定谔方程：

?

矩阵形式：通过将波函数代入薛定谔方程，可以得到一个矩阵方程：

n

其中，Hm

求解能带结构：通过求解矩阵方程，可以得到能带结构Ek

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义晶格常数和势场参数

a=1.0#晶格常数

V0=1.0#势场强度

alpha=1.0#波函数衰减率

m=1.0#电子质量

hbar=1.0#约化普朗克常数

#定义单个原子的波函数

defphi(x):

returnnp.exp(-alpha*np.abs(x))

#计算哈密顿矩阵元素

defH_mm(k,m,n):

integral=np.trapz(phi(x-m*a)*(-hbar**2/(2*m)*phi(x-n*a)+V0*np.cos(2*np.pi*x/a)*phi(x-n*a)),x)

returnintegral

#定义波矢k的范围

k_values=np.linspace(-np.pi/a,np.pi/a,100)

#定义晶格点的范围

R_values=np.arange(-5,6)

#计算能带结构

E_k=[]

forkink_values:

H=np.zeros((len(R_values),len(R_values)))

forminrange(len(R_values)):

forninrange(len(R_values)):

H[m,n]=H_mm(k,R_values[m],R_values[n])

eigenvalues,_=np.linalg.eig(H)

E_k.append(np.sort(eigenvalues))

#绘制能带结构图

E_k=np.array(E_k)

plt.figure(figsize=(10,6))

foriinrange(len(R_values)):

plt.plot(k_values*a/(2*np.pi),E_k[:,i],label=fB