2025《基片集成波导基础理论概述》990字.docVIP

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基片集成波导基础理论概述

1基片集成波导工作原理

为了实现馈电功分和阵列天线的微集成，本课题部分工作采用了基片集成波导(Substrate-IntegratedWaveguide,SIW)结构。基片集成波导是在介质基板上使用两排金属过孔形成上下两层覆铜层电连接的一种类波导结构，通常采用印刷电路板(PCB)或者低温陶瓷共烧技术技术(LTCC)来实现[37]。基片集成波导的传输特性，如场的模式(TM模式除外)和散射特性，与金属矩形波导十分相似，其两排金属过孔的距离要尽量小，起到金属腔壁的作用，防止电磁波的辐射泄漏。与此同时，基片集成波导还保留了金属矩形波导的许多特征，例如高Q值等。基片集成波导相比于传统的金属矩形波导除了尺寸大幅度减小以外，还兼具了方便集成无源和有源器件的优点，这是因为基片集成波导本身是以介质基板为原材料进行加工的，所以可以很方便地连接各类元器件。目前，基片集成波导已被应用于天线的馈电功分设计[38]、腔体滤波器设计[39]、定向耦合器设计[40]、振荡器设计[41]、功放设计[42]、缝隙天线设计[43]等等。

图2-8为基片集成波导的示意图。基片集成波导的主模与金属矩形波导一样都为TE10，基于这种相似的传输特性，可以得到基片集成波导的宽度w与矩形波导的有效宽度weff之间的一般关系[44]:

(2-18)

其中d为金属过孔的直径，s为相邻过孔中心之间的距离。当然，上述公式只是一个经验公式，实际设计过程中需要用到全波分析法(例如使用HFSS仿真软件)等方法确定基片集成波导的具体尺寸。

图2-8基片集成波导结构示意图

2基片集成波导损耗机制

当频段上升到毫米波段时，需要着重关注基片集成波导的损耗情况。一般来说，损耗主要关注由于金属壁有限电导率的存在而产生的导体损耗、由介质基板产生的介质损耗以及通过两排金属孔可能泄露出去的能量产生的辐射损耗。导体损耗机制和介质损耗机制与介质填充的金属矩形波导类似，通过经典方程的推导可以知道，衰减常数与介质基板厚度h可以近似视为反比，而其它基片集成波导的尺寸参数对其并没有太大影响，因此可以通过适当增厚介质基板来达到减小导体损耗的目的，而介质损耗基本只与所选的介质基板有关，只需要选择合适的介质基板就能有效地降低介质损耗。对于辐射损耗，一般认为与s/d的比值有关，当s/d2.5时，辐射损耗可以保持在一个相对比较小的值，在相邻过孔中心之间的距离s越大且金属过孔的直径d越小的情况下，基片集成波导两排过孔中两个相邻的金属通孔之间的间隙就越小，当然，这个比值也不能无限小，因为还要考虑最小加工的孔径以及加工难度和成本。