2025《晶闸管失效与分析流程分析综述》1000字.docx

晶闸管失效与分析流程分析综述

基于半导体材料物理和化学特性，结合应用工况，利用专业检测与分析设备，深入剖析并系统研究晶闸管发生失效的机理。

统计历年来在厂内、现场调试及运行中发生的晶闸管失效案例，对复杂多样的失效现象进行归纳处理，结合引发晶闸管失效的外部原因，从器件的设计和生产制造过程出发，深入研究晶闸管的失效机理。重点对下述几点进行分析研究：

图2.16晶闸管台面电场集中仿真示意图

过电压导致的晶闸管失效。晶闸管处于阻断状态时，产生的漏电流基本上都是通过PN结终端，从而进入电路。恶劣工况下，可能使PN结终端局部漏电流过大，并由于存在正反馈的作用，使这一局部不断恶化，最终导致晶闸管失效。