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IGBT行业专题汇报
国产龙头突围,进口替代进行时
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1、IGBT,电力电子装臵“CPU”
1.1.IGBT应用场景广泛
IGBT是电控系统中实现精确调控“开关”。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)构成复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,因此IGBT既有MOSFET驱动功率小、开关速度快特点,又有BJT饱和压减少、载流密度大优势。简单来说,可以把IGBT当作是一种非通即断开关器件,通时为导线,断时为开路,可以根据工业装臵中信号指令来调整电路中电压、电流、频率、相位等,以实现精确调控目。IGBT是能源变换与传播关键器件,俗称电力电子装臵“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在众多领域应用极广。
IGBT按照电压等级分为三类,下游应用场景广泛。根据工作电压高下,IGBT模块一般被划分为三类:低压(600V如下)、中压(600V-1200V)和高压(1700V-6500V)。低压IGBT模块一般用于消费电子、汽车零部件领域;中压IGBT模块一般用于新能源汽车、工业控制、家用电器等领域;高压IGBT模块一般用于轨道交通、新能源发电、智能电网等领域。其中,新能源汽车领域需求迅速增长是高端IGBT市场规模增长最重要驱动原因之一,根据中国产业信息网记录,年应用于新能源汽车车规级IGBT市场规模已达IGBT整体市场规模31%。
车规级IGBT是新能源汽车核“芯”之一。IGBT芯片与动力电池电芯并称为电动车“双芯”,是影响电动车性能关键器件之一。在新能源汽车上,IGBT重要应用于电池管理系统、电动控制系统、空调控制系统、充电系统等,重要具有如下功能:在主逆变器(MainInverter)中,IGBT将高压电池直流电转换为驱动三相电机交流电;在车载充电机(OBC)中,IGBT可将220V交流电转换为直流并为高压电池充电;除此之外,IGBT也广泛应用在DC/DC转换器、温度PTC、水泵、油泵、空调压缩机等系统中。
1.2.IGBT两大工作特性
顾名思义,IGBT工作特性体目前“绝缘栅”与“双极型”。所谓“绝缘栅”,是指IGBT保有MOSFET经典原理,即作为控制电路导通发射极与功率电路部分是绝缘,需要通过给发射极施加电压来联通电路;所谓“双极型”,是指IGBT保有BJT经典原理,即电路导通时半导体内同步流通电子与空穴两种粒子。IGBT可视为一种PNP型三极管和一种N-MOSFET组合,发射极信号控制MOSFET通断。当MOSFET导通时会为PNP晶体管提供基极电流,IGBT导通;当MOSFET关断时PNP晶体管基极电流被切断,IGBT关断。
1.3.IGBT行业三种商业模式
IGBT行业重要包括设计、制造、封测三大板块,根据企业覆盖面差异划分为三种模式。IGBT行业上游产业重要包括半导体材料(硅片、光刻胶等)与设备(光刻机、刻蚀机、PVD、CVD等),是支撑IGBT行业发展基石;IGBT行业根据芯片制造工序又可依次划分为芯片设计、晶圆制造、模块封装与测试三个环节;IGBT行业下游产业为广泛各细分应用市场,IGBT在工业控制、新能源汽车、消费电子、电力储存、轨道交通、家用电器等领域均大量应用。半导体行业内一般根据覆盖环节不一样而将各半导体企业分类为三种商业模式:Fabless(无工厂芯片供应商)模式、Foundry(代工厂)模式与IDM(IntegratedDeviceManufacture,集成器件制造)模式。Fabless模式是指只负责芯片电路设计与销售,将详细生产环节外包企业,例如斯达半导、中科君芯等;Foundry模式是指负责制造、封装或测试其中环节,不负责芯片设计企业,例如上海先进、江苏宏微等;IDM模式是指集芯片设计、制造、封测多种环节于一身企业,例如比亚迪、英飞凌、三菱、士兰微等。
2.新能车普及在即,车规级IGBT放量增长
2.1.IGBT技术不停升级,SiCMOSFET性能更佳但短期难替代
功率半导体历史演变分为半控型器件、全控性器件、复合型器件、集成电路四个阶段。
第一阶段是以1957年为起点、以整流管、晶闸管为代表半控型器件发展阶段。这一阶段功率器件在低频、大功率变流领域中应用占有优势,取代了早先汞弧整流器,半控型器件实现了弱电对强电控制,在
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