4材料科学基础课件-第二章位错的弹性行为.pptVIP

第二章位错的弹性行为;章目录:;2.1 位错的应力场与应变能;取单元体;因弹性体中六面体处于平衡状态，因此六面体对应面上的应力大小相等，方向相反。固只考虑三个面上的九个应力分量足以。;x;应变分量的表示;r;应力场特点：;x;直角坐标表示：;，且∝1/r。应力与z无关，垂直于位错线任一截面上应力分布相同。

正应力对称于y轴（x的偶函数），

切应力对称于x轴（y的偶函数）。

σxx：当y0，σxx0，为压

y0，σxx0，为拉

y＝0，σxx＝0

σyy：

在y＝0或，σyy＝0

τxy：，x＝0，有τxy＝τyx＝0

y＝0面上，切应力最大。;4、混合位错的应力场;二、位错的应变能;L;总应变能：;z;单位长度螺位错的弹性应变能为：;2、刃位错的应变能;4、结论;从热力学考虑：ΔG=ΔU-TΔS，由于位错的存在，ΔU可上升几个以上电子伏特，而组态熵ΔS小，TΔS只有十分之几的电子伏特，所以位错的产生ΔG0，不稳定。相反空位等点缺陷是热力学稳定的缺陷。

;2.2位错的受力与交互作用;二、在外力场中位错的受力;外切应力作功;f—单位长度位错线受力，大小为，

方向，指向未滑移区。;F;b;设位错攀移dy，则单位长度位错线体积增加dyb。

外力做功：

位错线受力fC做功：

比较两式得：

负号表示：如果σ为拉应力，fC为负向下，作负攀移，相反作正攀移。

;任一位错环，在方向上加一切应力τ，设其中一位错元移动了距离，则位错线扫过的面积为，切应力所作功为：;由此可见：;5、结论;三、位错间的交互作用力;s;刃位错应力场中,有σxx、σyy、

σzz，它们只能引起第二根位错

发生攀移，不考虑。

还有τxy和τyx两个切应力分量，

其中，对组态力f没有

贡献。τyx作用在滑移面，且与

平行，将引起位错的运动。;讨论：（在第Ⅰ象限）;r1;假想在连续弹性介质中挖一球形孔洞，半径为r0（置换或空位：溶剂原子半径，间隙：间隙半径），然后填入一个半径为r1（溶质原子半径）的小球。

如果体系无位错，该过程只反

抗周围介质做功，能量为U0。;当有位错存在??，除U0外，该

过程还需反抗位错应力场σij做

功，相当于弹性交互作用能UID。

由于点缺陷在晶体中产生的是球形对称的畸变，所以位移

始终垂直于球面，故应力场中σij在球面上产生的切应力

做功为0（∵没有切应变），而正应力σ为平均值。;在位移Δr＝r1－r0过程中，孔洞周围体积

改变为ΔV，反抗位错应力场所做之功为：

ΔW＝－σΔV

位错与点缺陷的交互作用能用UID表示，则：;讨论：;置换原子，ε＝1～4％，Umax＝0.05~0.1ev弱

间隙原子ε＝6～20％，Umax＝0.2~0.5ev强

螺位错由于不产生正应力，与球形对称的点缺陷无交互作用。;2、柯氏气团;柯氏气团形成后，欲使位错离开溶质原子，势必升高应变能。这相当于溶质原子对位错产生阻力，所以柯氏气团有钉扎位错的作用，阻滞位错移动的能力。位错必须在较大的外应力作用下，才能克服其钉扎作用开始滑移，表现为屈服强度增高。而位错一旦自气团中脱钉之后，只需较小的应力便可继续运动，这便是屈服点的来源。当温度升高时，溶质原子的扩散速率增大，位错可以拖着气团一起运动，这时便观察不到屈服现象。;例：低碳钢拉伸实验;3、非对称畸变点缺陷;结论：;一、位错的滑移

1、位错的滑移与晶体滑动

晶体中位错运动扫过的地方，滑移面上下晶体将发生相对滑动，其大小和方向为。任意位错运动引起的晶体相对滑动方向，可按右手定则来判定：;例：根据右手定则确定位错环运动方向;τ;虽然位错滑移一个原子间距时原子移动很小，但在位错扫过的区

域积累起的相对移动。当位错到达晶体表面后，整个晶体沿滑

移面相对移动一个，在晶体表面产生高度为b的台阶。若有成

千上万位错扫过，表面上产生一个在显微镜下可以看到的滑移线。;不论位错性质如何，不论它怎样运动，凡位错扫过的区域，滑移面上下两部分晶体总要发生相对滑动，其大小和方向为。;在外应力作用下，位错移动一个原子间距，只需周围原子有很小

的位移。位错继续滑移，只是依次向前传递一种特殊的原子组态。

位错线与柏氏矢量组成的面称为滑移面，只有平行于