NI发布用于分布式系统管理的应用软件SystemLink.pdfVIP

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设备里“奋力”生长。能、和电航

SiC单晶是第三代半导体，以其的特。，的和

科技动态特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高频使在关内

电子迁移率、高热导率等特性，成为制作的体验。所这支

温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及完整的Windows10体验,包括利

光电集成器件的理想，是新一代g小（Cortana)实现的生产力，以及娱乐

中国航天成功试验减速“神技”

达、卫星通信、高压输变电、轨道交通、电与安全性。

航天科技五院508所正在开展国内动汽车、通信基站等领域的核心材

首次新型充气式再人减速技术（IRDT)飞,的和广阔的I

NI发布用于分布式系统管理

行演示验证试验,验证此项技术的工作前景。

原理、工作程序和多项关键技术。纯SiC粉料是SiC单晶生长的关的应用软件SystemLink

这次试验的飞行器呈“飞碟”状，周键原，单晶生长炉是SiC单晶生长的国国器公司（简称NI)近日

身被厚厚的气囊包裹。IRDT技术基于核心设备，要想生长出的SiC单宣出于式理的

空间充气展开结构的设计理念，集成了晶，在纯SiC粉料和单晶生长炉条件SystemLink。SystemLink为软件部署、

再人减速过程中的热防护、气动减速、着件下,对生产工艺进行设计、调试远程设和能监控等自

陆缓冲、水上漂浮等功能,能够实现航天和化。动化供了一个集中界面,有助于

器的承载、减速、防热一体化设计，使其，单晶生长炉达温、运率并护成。

再防热大底、降落伞、缓冲气囊等空、的，中国电科二所是小试项是

附属设备。了SiC生长的温场设计，实现，理、护以信的

国曾开展过IRDT的试验，但于150mmSiC单晶生长炉高极

实现对简单。的关注点

试验并未完全成功。为此,NASA安排了空、低背景漏率生长炉设计制造及