晶体管的热学-二次击穿-开关特性-设计考虑.pptVIP

晶体管的热学性质

晶体管的二次击穿和安全工作区

晶体管的开关特性

高频晶体管的设计考虑;晶体管的热学性质;1.晶体管参数与温度的关系;IE及IC与温度的关系

;当IE及IC不变时，VBE与温度的关系

;与温度的关系

;3.热稳定性条件;VBE恒定

当用恒压源做发射结电压的偏置时，这时IC随温度的变化是比较剧烈的。

;IB恒定时

当用恒流源作为基极电流的偏置时

;IE恒定时

当用恒流源作为发射极电流的偏置时，由于

Ic＝aIE.a的变化很小，所以这种偏置是最稳定的。

;基极开路

基极开路是在开关电路或晶体管测试中出现的情形。这时：

;实际应用中常采用在发射极上串连一个镇流电阻。这个电阻起到负反馈的作用。

VBE=EB-IE*RE≈EB-IC*RE

当温度升高时，IC增大，VBE会减小，反过来会使IC减小。这就是负反馈作用。通常RE越大，则B与S的值越小，晶体管就越稳定。但RE过大会降低电路的功率放大能力并增加功耗。

通常选用：RE=0.4/IC;提高热稳定性不只是为了防止热击穿。由于晶体管的各项参数都会随温度变化，热稳定性提高后，在一定偏置下结温的变动减小，从而也使晶体管的各项参数得到稳定。;版图结构上的考虑

功率晶体管的基区若设计成单一面积，则由于基区周长较短而导致热阻较大，造成管芯间较大的温差。结温的不均匀将导致电流的不均匀分布，通过温度与功耗之间的正反馈而在基区中心产生过热点导致正向二次击穿。为了克服这个问题，可以将单一面积的基区分成若干小基区，每个基区构成一个子器件，彼此相隔一定距离，并通过金属化并联起来。由于总的基区周长加长使得热阻降低，同时使得结温分布较为均匀。;二次击穿与安全工作区;正向二次击穿(电流集中型)

晶体管内得电流分布不可能是完全均匀的。由于电流的正温度系数，这种初始的不均匀在一定的条件下可能产生恶性循环，使电流分布的不均匀越来越严重，最后导致电流集中在一个极小的区域内，形成一个“过热点”。过热点的温度足以使该处的半导体或接触的金属熔化，造成永久的破坏。更常见的情况是，即使温度不足以使得金属熔化，但由于各点温度不同所产生的应力也足以导致???格的严重损伤。;解决电流集中效应的方法是采用多个发射极镇流电阻。

如果由于某种不均匀性使得一个子晶体管的电流比其他的大，那么这个子晶体管的发射极镇流电阻上的压降将增大，发射结上的正向压降将减小，使得这个子晶体管的发射结电流自动地减小。这种负反馈作用消除了电流集中，使总电流能比较均匀地分布在各个小发射极上，从而防止二次击穿发生。;反向二次击穿（雪崩注入型二次击穿）

临界电流ISB=ACJCO=ACqNCvmax

Ac代表集电结面积。

临界电压VSB=ECWC

WC代表N-区厚度。对于硅，EC≈105V/cm;消除雪崩注入型二次击穿的方法：

（1）采用双层外延，在N+衬底和N-外延层之间增加一个中等掺杂的N型外延层，形成N+PN-NN+

(2)在集电结上并联一个“穿通二极管”。当VCE还未达到一次击穿时，该二极管已经导通，将大量电流旁路掉，使集电结电压难以再增加，从而避免集电结的一次击穿。

（3）使发射区中心部分掺杂浓度较低，结深也较浅。;晶体管的安全工作区

（1）集电极最大电流ICMAX

（2）最大耗散功率PCM

（3）正向（电流集中型）二次击穿的临界功率线VSBF

(4)反向（雪崩注入型）二次击穿的临界功率线VSBR

(5)发射极－集电极击穿电压BVCEO

;晶体管的开关特性;三极管直流开关特性

三极管相当于一个由基极电流控制的无触点开关。

截止时，相当于开关“断开”；等效电路：

饱和时，相当于开关“闭合”。等效电路：

;IBS?--?基极临界饱和电流；

ICS?--?集电极饱和电流，ICS????IBS；

VCES?--集射极饱和管压降。

若IBIBS,饱和；若0IB≤IBS,放大；若IB≤0,截止

;晶体管的瞬态开关特性：

开关时间：三极管在截止状态和饱和状态之间转换所需的时间。包括：

（1）开通时间ton——从三极管输入开通信号瞬间开始至iC上升到0.9ICS所需的时间。

（2）关闭时间toff——从三极管输入关闭信号瞬间开始至iC降低到0.1ICS所需的时间。

;提高开关速度的措施

1.尽量降低集电区少子寿命

背面掺金工艺,或者掺铂、进行中子辐射、提高集电区的掺杂浓度。

2.采用较薄的外延层。

（减薄外延层）

3.集成电路中，采用肖特基钳位二极管来阻止晶体管进入深饱和，可以从根本上解决储存时间过长的问题。

;由可知，要提高M，应提高fT，降低rbb’和C