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第一章半导体中的电子状态
例1.证明：对于能带中的电子，K状态和“状态的电子速度大小相
等，方向相反即：v(k)=-v(-k),并解释为什么无外场时，晶体
总电流等于零
解：K状态电子的速度为：
小管潭尸萼⑴
同理，一K状态电子的速度则为：
1科跃、d虱T)「「
k为⑵
从一维情况容易看出：
期(一盼二施3)
ak*此(3)
同理
郎(-乃阳伏)
有：两附
dEQk)二期3)
(4)与此
(5)
将式(3)(4)(5)代入式(2)后得：
收7警+等+萼(6)
利用(1)式即得：V(-k)=—V(k)因为电子占据某个状态的几率只
同该状态的能量有关,即：E(k)=E(一k)故电子占有k状态和-k状态
的几率相同，且v(k)二一v(一k)故这两个状态上的电子电流相互抵消,
晶体中总电流为零
例2.已知一维晶体的电子能带可写成：
E(k)=q-cos2nka+gcos6成J)
式中，a为晶格常数试求:
(1)能带的宽度；
(2)能带底部和顶部电子的有效质量
解：(1)由E(k)关
3
(3sin2nka—sin2nka)
m9a4
(1)
23
dE_岛2(18sin2^fajcos2^fcj-^co$2nka)
充名
2)
cos2nka=J-
当中2时，代入(2)得：
驾=生(乙日上马二日空＞0
4户气12V122V12V12气
对应E(k)的极小值
cos2rta=-J—
当“2时，代入(2)得：
学=小(78」＜曰入出)=・值必＜0
我?/12\122V12V12A
对应E(k)的极大值
根据上述结果，求得纥6和耳立即可求得能带宽度
・白气必方沁力
8
故：能带宽度心—=2(独营
(3)能带底部和顶部电子的有效质量：
()r，=
»«=
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