光芯片产业链动态更新.pdfVIP

以下为专家观点：

Q1、公司芯片产能扩产情况？

A、生产基地：台湾新竹，常州金坛；常州25年产能每个月300多万颗，台湾每个月450

万颗，100GEML芯片产出。2025年Q3开始了扩产计划，整体产能有2倍的提升。

Q、200G芯片产出？

A、200G的EML工艺和设备重叠的，1310波段良率和量产没问题，其他波段26年Q1提

升良率上去。目前并没有生产200G，主要是800G光模块的需求是供不应求。订单都是在

等待芯片，100G是重点倾斜。

Q、800G订单情况？

A、拿到订单大一些的，Meta800GFR426年Q1180万颗，Meta全年350-400万颗。微

软800G订单40万颗，甲骨文20万颗，亚马逊10-15万，XAi5万颗。

Q、25年800G的出货？

A、800G基本70-80万只，400G出货110-120万颗。

Q、光芯片产出大于光模块产能？

A、光芯片26年年底2400万只，光模块26年年底成都月产能80万只，台湾20万只，

加起来100万只/月。光模块产能26年年底1200万只。

Q、光芯片多出来很多？

A、光芯片生产出来初步测试，初步测试OK，芯片初步封装，老化测试，老化测试剔除可靠

性有问题的，第一步筛选的良率80%不错了。20%良率损失，300万剩下240万，COB

光耦合、低温高温装配，形变有一些，这一部分基本高一些良率90%，低一些70%，基本

80%，可能剩下2000万。后面最后在做芯片封档，基本1500万颗的产出，实际光芯片产

出比光模块多300万颗左右。

Q、芯片外售？

A、芯片外售计划，如果产能满足自己需求以后，是否有一些外售。扩产计划很激进。因为

最终产出芯片数量很庞大，足够cover光模块的出货，但是目前没有明确确认这个外售。可

能是因为芯片还是相对紧张。目前来说芯片外售推动主要是外售CW的芯片。EML芯片和

旭创和海信送过样，可靠性和性能已经测试通过了，无非就是没有足够的芯片交付。模块也

是竞争对手，他可能担心芯片供应卡，客户排除这个担忧之后都可以合作。目前来说没有主

动筛选竞争关系。

Q、光芯片制程？

A、衬底、光栅刻蚀，在这个基础上在做外延和有源区，都需要MOCVD做沉积，这些用到

的MOCVD时间要远大于外延部分的，在做保护镀层，测试等流程。目前InP衬底、光栅刻

蚀也在做，场内也在做，更多的量是给合作伙伴厂家做合作开发的模式，台湾的IQE、大陆

的全磊，华芯激光。

Q、InP衬底？

A、目前主要是2寸，后面3寸基本1500元，光栅做好的部分，2寸做好光栅6000元。

2寸InP刻蚀好光栅。光栅和衬底都不是自己做合作开发的模式。

Q、MOCVD？

A、常州4台量产，2台试验线，台湾不知道。公司订购了30多台MOCVD。4台MOCVD

（只做部分外延）一个月1000片。

Q、切换3寸片是否需要设备更新？

A、尺寸变化不大，只是要更换设备里面的固定载物台，夹具等。但是整体问题不大，片子

尺寸切换工艺参数问题。调整不好碎片风险比较高。晶圆尺寸的提升还是比较保守一些。

Q、海外竞争对手？

A、住友主流4寸，一部分6寸，3寸和2寸就比较少了。生产经验积累。面积增大了以

后。公司比别人晚，索尔思做了很多年的EML，更多面对索尔思内部的需求，芯片产出效能

没有追求，没有外售计划，所以订单量蛮小。工艺状态下并没有做积极的开拓。后面可能会

激进很多。

Q、扩产资金投入？

A、芯片这边大概计划了40亿人民币投入。

Q、光栅？

A、InP衬底刻蚀光栅，外延有源区，掩埋异质结，截取镀膜解离，出光就OK。

Q、2寸、3寸片。100G的可以切多少颗？

A、250um*650um，一颗这么大，基本能切5000颗合格的芯片。3寸切2万多颗，产出

8000-9000多颗。

Q、两个环节良率是否可以提升？

A、总体良率就是这样，没有工艺提升的情况下，光功率和消光比的要求，一部分只能满足

400G的要求。测试挑选，现在就是推EA的生长方式，能够提升10%，算下来全年成本优

化2亿。优化有一些工艺制程的变化，3代或者2代，如果3代良率已经解决了，3代

和2代都在进行，26年Q3基本3代芯片提升到80%，基本Q4把所有的芯片转到新的

工艺制程。

Q、800G价格？

A、单只Fr4