重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法.pdfVIP

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试红外反射法

1范围

本文件规定了红外反射法测试重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的方法。

本文件适用于衬底在室温电阻率小于0.02Ω·cm和外延层室温电阻率大于0.10Ω·cm且外延层厚度大

于2µm的n型和p型硅外延层厚度的测试；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于0.5～2µm之间的

n型和p型硅外延层厚度的测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T6379.2测量方法与结果的准确度（正确度与精密度）第2部分：确定标准测量方法重复性与

再现性的基本方法

GB/T14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

折射率refractivity

入射角的正弦相对折射角的正弦的比率。这里的入射角和折射角是指表面法线和红外光束的夹角。

对电阻率大于0.1Ω·cm硅材料，当波长范围为6µm～40µm时，相对空气的该比值为3.42，该值可由

斯涅尔（Snell）定律求出。

4方法原理

4.1单束红外光经仪器分束器分成相同的两束光，一束光在外延层表面反射；另一束光由于衬底和外延

层光学常数的差异在外延层和衬底界面反射。同源两束反射光在仪器动镜的驱动下可发生干涉现象，由

于外延层厚度导致两束反射光存在光程差，当光程差是半波长的偶数倍时，发生相长干涉；当光程差是

半波长的奇数倍时，发生相消干涉。干涉图谱被仪器探测器记录并转化为反射光谱，这样，在样品反射

光谱中出现连续极大极小特征谱的现象，其中，反射光谱极大值波峰是干涉相长的结果，而极小值波谷

则是干涉相消的结果。因此，根据反射光谱中极值波数、外延层与衬底光学常数和红外光束在样品上的

入射角即可计算出外延层厚度。

4.2一般情况下，当样品外延层电阻率大于衬底电阻率的5倍以上时，样品衬底和外延层光学常数差异

即可保证反射光谱中有连续极大极小特征谱，样品可以用本方法测试并计算出硅外延层厚度。如：样品

衬底在电阻率小于0.002Ω·cm和外延层电阻率大于0.01Ω·cm且外延层厚度大于2µm的硅外延层厚度可

应用本方法测试。

1

5干扰因素

5.1样品表面大面积晶格不完整、钝化层等导致反射率较低时，可影响测试结果。

5.2掩模孔材料、孔径大小以及探测器探测到的杂散光影响发射光的检测，可影响测试结果。

5.3静电、噪音、振动及温湿度稳定性等测试环境可影响测试结果。

5.4红外光源超过使用寿命或光源冷却系统故障以及达不到规范要求，导致光强降低，从而影响测试结

果。

5.5激光管超过使用寿命或光路故障时可影响测试结果。

5.6选择使用的参考样品的谱图，可影响同样或相近厚度样品的测试结果。

6仪器设备

6.1红外光谱仪

6.1.1傅里叶变换红外光谱仪或双光束红外分光光度计。

6.1.2波长范围2µm~20µm，本法常用的波长范围为6µm~20µm。

6.1.3波长重复性不大于0.05µm。

6.1.4波长精度为+/-0.05µm。

6.2仪器附件

6.2.1和仪器相匹配的光学反射附件，入射角不大于30度。

6.2.2掩模由非反射材料制成，如非光泽表面的石墨，用于限制样品表面受照射区域,其孔径尺寸足够

小以消除厚度波动的影响，同时又不至于影响到反射光束的探测。透光孔径不大于8mm。

6.2.3样品台构造须确保其不会对样品外延层造成损伤。

6.2.4使用水冷系统时，需要控制冷却水流量1+/-0.1L/min和温度19+/-2℃。

7样品

样品表面应保持清洁，防止大面积的晶格不完整缺陷，除自然氧化层外不应有钝化层。

8试验步骤

8.1仪器校准

-1

8.1.1用厚度为30µm~50µm的聚苯乙烯膜做标样，以标样的1601.6cm峰为测量参考峰，按GB/T

6379.2所确定的仪器波长重复性和精度对应分