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光电子学期末考试试题及答案

光电子学期末考试试题

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.激光产生的必要条件不包括以下哪一项？（）

A.粒子数反转分布B.光学谐振腔C.泵浦源D.自发辐射占主导

2.半导体材料中，直接带隙材料与间接带隙材料的主要区别在于（）。

A.禁带宽度大小B.导带底与价带顶的波矢是否匹配C.载流子迁移率D.热稳定性

3.阶跃型光纤中，模式截止的条件是（）。

A.归一化频率V=0B.归一化频率V=2.405C.数值孔径NA=0D.模场直径等于纤芯直径

4.光电倍增管中，二次电子发射的关键部件是（）。

A.光阴极B.聚焦电极C.打拿极D.阳极

5.半导体激光器（LD）与发光二极管（LED）的主要区别在于（）。

A.材料禁带宽度不同B.LD利用受激辐射，LED利用自发辐射C.LD工作于正向偏置，LED工作于反向偏置D.LD输出非相干光，LED输出相干光

6.光纤的损耗主要来源于（）。

A.材料吸收、散射和弯曲损耗B.模式色散和材料色散C.波导色散和偏振模色散D.非线性效应和瑞利散射

7.热释电探测器的工作原理基于（）。

A.光生伏特效应B.光电导效应C.热电效应D.外光电效应

8.对于He-Ne激光器（λ=632.8nm），其谐振腔长度L=0.5m时，相邻纵模的频率间隔约为（）。（光速c=3×10?m/s）

A.150MHzB.300MHzC.600MHzD.1.2GHz

9.以下哪种器件属于主动光电子器件？（）

A.光电二极管B.光纤耦合器C.半导体激光器D.光衰减器

10.电光调制器的工作原理基于（）。

A.泡克尔斯效应B.克尔效应C.塞曼效应D.斯塔克效应

二、填空题（每空1分，共20分）

1.激光的特性包括高方向性、高单色性、高相干性和__________。

2.半导体的本征载流子浓度ni与禁带宽度Eg的关系为ni=__________（写出表达式，其中Nc、Nv为导带和价带有效态密度，k为玻尔兹曼常数，T为温度）。

3.光纤的数值孔径NA=__________（用纤芯折射率n1、包层折射率n2表示），其物理意义是__________。

4.光电探测器的响应度R定义为__________，单位是__________。

5.激光器的阈值条件包括__________和__________，其中增益阈值要求工作物质的增益系数g≥__________（用谐振腔损耗α表示）。

6.半导体发光二极管（LED）的发光机制是__________，其光谱宽度比半导体激光器__________（填“宽”或“窄”）。

7.光纤的色散分为模式色散、__________和__________，其中__________是单模光纤的主要色散来源。

8.热释电探测器只能探测__________（填“直流”或“交流”）光信号，原因是__________。

9.声光调制器的工作原理是利用__________效应，通过__________改变介质的折射率。

三、简答题（每题6分，共30分）

1.简述粒子数反转分布的概念及其实现条件。

2.比较PIN光电二极管与雪崩光电二极管（APD）的工作原理及性能差异。

3.说明光纤通信中采用单模光纤的优势，并解释单模光纤的截止条件。

4.分析半导体激光器（LD）的P-I特性曲线（输出功率-注入电流）的特点，指出阈值电流的物理意义。

5.列举三种常见的光调制方式，并简述其调制原理。

四、计算题（每题8分，共32分）

1.某GaAs半导体激光器的禁带宽度Eg=1.42eV，求其发射光的中心波长λ（h=6.626×10?3?J·s，e=1.6×10?1?C，c=3×10?m/s）。

2.阶跃型光纤的纤芯折射率n1=1.48，包层折射率n2=1.46，求其数值孔径NA；若入射光在空气中的入射角为θ0，求最大允许的θ0（以弧度表示）。

3.某He-Ne激光器的谐振腔长度L=1m，腔镜反射率R1=0.98，R2=0.99，腔内损耗α=0.01m?1，求激光器的阈值增益系数gth（假设腔镜损耗为对数损耗，总损耗系数α总=α+(1/2L)ln(1/(R1R2))）。

4.某光电探测器的响应度R=0.5A/W，入射光功率P=2μW，暗电流Id=1nA，负载电阻RL=1kΩ，求输出电压信号的有效值（假设信号为正弦调制，信噪比足够高，忽略