第7部分半导体存储器与可编程器件.pptVIP

第7章半导体存储器与可编程器件;本章重点：

*半导体存储器的结构、分类及应用；

*可编程器件的原理及应用；

*硬件描述语言。

;7.1半导体存储器;按照功能不同，半导体存储器可分为只读存储器（ReadOnlyMemory，ROM）和随机存取存储器（Random?Access?Memory，RAM）。;7.1.1只读存储器;（3）可擦除的可编程ROM（EPROM）

EPROM适用于需要多次改写存贮内容的场合。;2.ROM的基本结构

ROM的基本结构是由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器组成。;用二极管组成的4×4位ROM电路。A1、A0称为地址线；W3～W0称为字线；D3～D0称为位线。;W3～W0（字线），高电平有效，每一时刻只有一条为高电平而其余三条为低电平，字线为高电平时选中一行存贮单元（包含4位，称为一个字）。位线输出即为这个字的各位。;存贮矩阵是由二极管矩阵组成，当某字线为高电平时，接于该字线上的二极管就会导通，因此接有二极管的位线上就是高电平，而没有接二极管的位线上就是低电平。当输出使能（低电平有效）为低电平时，输出缓冲器打开，位线上的数据就输出到外部的数据总线D3～D0上。;例如：当A1A0=00时，字线W0为“1”，而字线W1～W3都为“0”，这时选中字线0，位线上输出D3～D0=1010。由于二极管存贮矩阵的内容取决于制造工艺，一旦制造好以后不能再改变。图中存贮矩阵的内容为：字线0（1010），字线1（1101），字线2（0010），字线3（0111）。;为简化作图，也可以画出存储矩阵的结点连接图，即在存储矩阵中接有二极管的交叉点上画一个圆点，代替存储器件。;3.ROM的应用

归纳起来主要有以下四个方面的应用：

（1）存贮固定的程序;9/21/2018;（2）存贮固定的数据表格

在数学运算中为了加快运算速度，常将某变量的函数例如三角函数、对数函数等先造一个表，预先写入ROM中。工作时，只要将变量作为地址读取ROM，则从该地址中读出的内容就是这个变量的函数值。;（3）产生波形

如果在ROM中预先写入各种波形的数据，例如正弦波、三角波、方波、阶梯波等，用一个二进制计数器为ROM提供地址，ROM的输出数据经D/A转换器转换为模拟信号??再经低通滤波器，就可以得到相应的波形。;例如：将一片EPROM2716中写入如下数据：00H-01H-…-FEH-FFH-FEH-…-01H-00H-01H-…。;（4）实现组合逻辑函数

从ROM的结构可看出，当把输入地址看作二进制变量，将地址译码器的输出看作是由输入变量组成的全部最小项，将存储矩阵（或阵列）看作是“或”输出时，则ROM就可组成任意组合逻辑，具有n位地址输入、m位数据输出的ROM可实现m个n变量的组合逻辑函数。;【例7-1】利用ROM完成8421BCD到余3码的转换。

解：设8421BCD为A3A2A1A0，余3码为Y3Y2Y1Y0，二者之间的对应关系如表7-2所示。;9/21/2018;取具有4位地址输入、4位数据输出的16×4位ROM，将4个输入变量分别接至地址输入端A3、A2、A1、A0，按照逻辑函数的要求存入相应的数据，即可在数据输出端获得Y3、Y2、Y1、Y0。具体实现电路如图7-8所示。;7.1.2随即存取存储器;1.RAM的分类

RAM根据原理的不同，分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）两种。按照集成电路器件的不同，又可分为双极型和MOS型两种。;（1）SRAM

SRAM是一种只要在供电条件下便能够存储数据的存储器件，是大多数高性能系统的一个关键部分。

SRAM的特点是工作速度快，只要电源不撤除，写入SRAM的信息就不会消失，不需要刷新电路，同时在读出时不破坏原来存放的信息，一经写入可多次读出，但集成度较低，功耗较大。SRAM一般用来作为计算机中的高速缓冲存储器(Cache)。;9/21/2018;（2）DRAM

DRAM，它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息，以存储电荷的多少，即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM集成度较高，功耗也较低，但缺点是保存在DRAM中的信息__场效应管栅极分布电容里的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失，一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息，必须每隔1～2ms对其刷新一次。因此，采用DRAM的计算机必须配置动态刷新电路，防止信息丢失。

DRAM一般用作计算机中的主存储器。;2.