（集成电路设计与集成系统）芯片制造试题及答案.docVIP

2025年（集成电路设计与集成系统）芯片制造试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.集成电路制造中，光刻的主要作用是（）

A.刻蚀芯片表面B.定义电路图案C.掺杂杂质D.连接电路

答案：B

2.以下哪种材料常用于集成电路制造中的衬底（）

A.硅B.铜C.金D.塑料

答案：A

3.芯片制造中，掺杂的目的是（）

A.改变芯片颜色B.提高芯片硬度C.调整半导体电学性能D.增加芯片厚度

答案：C

4.集成电路制造中的刻蚀工艺是为了（）

A.去除多余的光刻胶B.精确去除特定区域的材料C.使芯片表面光滑D.给芯片镀膜

答案：B

5.以下哪种光刻技术分辨率最高（）

A.紫外光刻B.极紫外光刻C.电子束光刻D.离子束光刻

答案：C

6.芯片制造中，化学气相沉积主要用于（）

A.制造晶体管B.形成绝缘层或导电层C.清洗芯片D.检测芯片缺陷

答案：B

7.集成电路制造中，CMOS工艺的全称是（）

A.互补金属氧化物半导体工艺B.碳基金属氧化物半导体工艺C.铜基金属氧化物半导体工艺D.硅基金属氧化物半导体工艺

答案：A

8.芯片制造中，用于检测芯片内部电路是否正常工作的是（）

A.光刻设备B.刻蚀设备C.测试设备D.掺杂设备

答案：C

9.以下哪种封装形式散热性能较好（）

A.DIP封装B.QFP封装C.BGA封装D.PGA封装

答案：D

10.集成电路制造中，晶圆的直径通常有（）

A.1英寸、2英寸B.4英寸、6英寸C.8英寸、12英寸D.16英寸、20英寸

答案：C

二、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.芯片制造中的光刻设备主要组成部分包括（）

A.光源B.掩膜版C.投影物镜D.光刻胶涂覆装置

答案：ABCD

2.集成电路制造中常用的掺杂方法有（）

A.离子注入B.扩散C.外延生长D.化学气相沉积掺杂

答案：AB

3.芯片制造中，刻蚀工艺的分类有（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.激光刻蚀D.机械刻蚀

答案：AB

4.以下属于芯片制造中的后端工艺的有（）

A.金属互连B.封装C.测试D.光刻

答案：ABC

5.集成电路制造中，用于形成绝缘层的工艺有（）

A.热氧化B.化学气相沉积C.物理气相沉积D.离子注入

答案：ABC

6.芯片制造中，影响光刻分辨率的因素有（）

A.光源波长B.光刻胶性能C.掩膜版精度D.曝光剂量

答案：ABCD

7.集成电路制造中，常用的半导体材料除了硅还有（）

A.锗B.碳化硅C.氮化镓D.铜

答案：ABC

8.芯片制造中，封装的作用包括（）

A.保护芯片B.实现芯片与外界电气连接C.散热D.提高芯片性能

答案：ABC

9.以下哪些是芯片制造中常用的测试方法（）

A.功能测试B.电气性能测试C.可靠性测试D.外观检查

答案：ABC

10.集成电路制造中，晶圆制造的流程包括（）

A.硅片制备B.氧化C.光刻D.掺杂

答案：ABCD

三、判断题（总共4题，每题5分）

1.集成电路制造中，光刻的精度越高，芯片性能越好。（）

答案：√

2.掺杂浓度越高，半导体的导电性一定越好。（）

答案：×

3.在芯片制造中，后端工艺比前端工艺更重要。（）

答案：×

4.不同的封装形式对芯片的散热和电气性能没有影响。（）

答案：×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.集成电路制造中，光刻的关键参数包括分辨率、______和套刻精度。

答案：曝光剂量

2.芯片制造中，常用的光刻胶有正性光刻胶和______光刻胶。

答案：负性

3.集成电路制造中的衬底材料通常选用______。

答案：硅

4.芯片制造中，化学气相沉积的反应类型有热分解反应、______和化学传输反应。

答案：化学合成反应

5.集成电路制造中，CMOS工艺的核心是______和PMOS晶体管。

答案：NMOS晶体管

6.芯片制造中，刻蚀的选择比是指______与______的刻蚀速率之比。

答案：被刻蚀材料；掩膜材料

7.集成电路