CN109065553B 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 （株式会社半导体能源研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN109065553B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号201810945034.6

(22)申请日2013.10.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN109065553A

(43)申请公布日2018.12.21

(30)优先权数据

2012-2459922012.11.08JP

2013-0162422013.01.30JP

2013-0567682013.03.19JP

(62)分案原申请数据

201380058422.82013.10.30

(73)专利权人株式会社半导体能源研究所地址日本神奈川

(72)发明人高桥正弘广桥拓也津吹将志

石原典隆太田将志

(74)专利代理机构中国贸促会专利商标事务所有限公司11038

专利代理师贾成功

(51)Int.CI.

H10D

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H10D

H10D

H10D

86/60(2025.01)62/40(2025.01)

62/80(2025.01)30/01(2025.01)

30/67(2025.01)

H01L21/66(2006.01)

C23C14/08(2006.01)

C23C14/34(2006.01)

GO1N23/207(2018.01)

GO2F1/1368(2006.01)

(56)对比文件

US2012138922A1,2012.06.07US2010051949A1,2010.03.04

审查员盛浩

权利要求书9页说明书23页附图30页

(54)发明名称

金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法

(57)摘要

CN109065553B提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm,因此当测量区域大于或等于5nmφ且小于或等于10nm

CN109065553B

CN109065553B权利要求书1/9页

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1.一种晶体管，其特征在于，

包含栅电极、所述栅电极上的栅极绝缘膜、和所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层，

所述氧化物半导体层的沟道形成区包含通过纳米束电子衍射图案所观察到不是具有示出以特定平面取向的晶体部的规律性的多个斑点、而是呈圆周状分布的多个斑点的区域，

所述沟道形成区具有多个纳米晶体，

所述多个纳米晶体的表面取向不规则，

所述多个纳米晶体的各自的尺寸小于或等于10nm,

所述栅极绝缘膜具有氧化硅。

2.一种晶体管，其特征在于，

包含氧化物半导体层、所述氧化物半导体层上的栅极绝缘膜、和所述栅极绝缘膜上的栅电极，

所述氧化物半导体层的沟道形成区包含通过纳米束电子衍射图案所观察到不是具有示出以特定平面取向的晶体部的规律性的多个斑点、而是呈圆周状分布的多个斑点的区域，

所述沟道形成区具有多个纳米晶体，

所述多个纳米晶体的表面取向不规则，

所述多个纳米晶体的各自的尺寸小于或等于10nm,

所述栅极绝缘膜具有氧化硅。

3.一种晶体管，其特征在于，

包含栅电极、所述栅电极上的栅极绝缘膜、和所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的碳浓度不到4×1021原子/cm3,

所述氧化物半导体层的沟道形成区包含通过纳米束电子衍射图案所观察到不是具有示出以特定平面取向的晶体部的规律性的多个斑点、而是呈圆周状分布的多个斑点的区域，

所述沟道形成区具有多个纳米晶体，

所述多个纳米晶体的表面取向不规则，

所述多个纳米晶体的各自的尺寸小于或等于10nm,

所述栅极绝缘膜具有氧化硅，

作为所述氧化物半导体层，使用In:Ga:Zn=1:1:1的原子数比的靶材。

4.一种晶体管，其特征在于，

包含栅电极、所述栅电极上的栅极绝缘膜、和所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的氢浓度不到1×102原子/cm3,

所述氧化物半导体层的沟道形成区包含通过纳米束电子衍射图案所观察到不是具有示出以特定平面取向的晶体部的规律性的多个斑点、而是呈圆周状分布的多个斑点的区域，

所述沟道形成区具有多个纳米晶体，

所述多个纳米晶体的表面取向不规则，

所述多个纳米晶体的各自的尺寸小于或等于10nm,

CN109065553B