CN114386347B 一种场效应晶体管的建模方法 （苏州华太电子技术股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114386347B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202011115348.7

(22)申请日2020.10.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114386347A

(43)申请公布日2022.04.22

(56)对比文件

梅腾达.基于二维材料的高频纳机电谐振器模型研究.中国优秀硕士学位论文全文数据库

(工程科技I辑).2021,全文.

审查员闪赛

(73)专利权人苏州华太电子技术股份有限公司

地址215000江苏省苏州市工业园区星湖

街328号创意产业园10-1F

(72)发明人黄安东

(74)专利代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256

专利代理师赵世发

(51)Int.CI.

GO6F30/33(2020.01)

GO6F30/27(2020.01)权利要求书2页说明书10页附图6页

(54)发明名称

一种场效应晶体管的建模方法

(57)摘要

CN114386347B本申请公开了一种场效应晶体管的建模方法，包括：建立FET的小信号本征部分等效电路，并由此获得内部本征参数与外部偏置的关系；构建FET的大信号模型，其包括栅极电荷源、漏极电荷源、栅极电流源、漏极电流源和NQS子电路；通过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系；之后可使用查找表的方式储存或使用神经网络训练得到神经网络解析模型。本申请在电流源和电荷源的积分过程中，将NQS效应全部剔除，这种建模方式与NQS的物理机理一致，保证了小信号模型和大信号模型的统一，模型的精度不受频带的影响，也不需要使用高阶源，无论从模型的鲁棒性，精确

CN114386347B

Ia=I?(Vgodelay,Vaa,T)Vgsdelay=Vgo×exp(jwr)

CN114386347B权利要求书1/2页

2

1.一种场效应晶体管的建模方法，其特征在于包括：

构建场效应晶体管小信号本征部分等效电路，该小信号本征部分等效电路的Y参数为：

(I)

其中yint为本征Y参数，Y”为二端口Y矩阵的每一个元素，i、j=1或2,yg?1为Y的实部，Yg?2为Y12的实部，8为跨导，ga为输出导纳，①为角频率，Cg?为栅源电容，Ca为栅漏电容，Cas为漏源电容；

由式(I)计算得到Cs、CgaCas以及由NQS效应引起的跨容C、跨导gm、输出导纳ga、NQS时延t,其中：

构建场效应晶体管的大信号模型，该大信号模型包括栅极电荷源Qg、漏极电荷源Qa、栅极电流源Ig、漏极电流源I和NQS子电路，所述NQS子电路对应于栅极电压时延电路，并通过对端口电压进行路径积分，得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系，即：

(II)

CN114386347B权利要求书2/2页

3

其中，Vgs、Va分别为栅源电压、源漏电压。

2.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述NQS子电路表示为：

Vgs-delay=Vgs×exp(-jwt)。

3.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于，所述场效应晶体管的大信号模型还包括热子电路，所述热子电路对应于模拟热扩散的R-C并联电路。

4.根据权利要求3所述的建模方法，其特征在于包括：改变环境温度，并引入温度因子α?,得到电流源、电荷源与温度的关系为：

Q(T)=(1-ara(T,-T))·Qg(T)

Qa(T;)=(1-ara(T,-T。))·Qa(T?)

Ig(T)=(1-ara(T-T。))·Ig(T?)

Ia(T)=(1-αra(T,-T))·Ia(T。)

其中，T?为初始环境温度，T;为器件沟道温度。

5.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于还包括：在积分得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关系后，使用查找表的方式储存下来。

6.根据权利要求1所述的建模方法，其特征在于还包括：在积分得到非线性电流源、电荷源与端口电压之间的关