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摘要
随着可再生能源发电和电动汽车等新兴应用的快速发展，开发高效、高功率
密度的三相逆变器成为了当前电力电子领域的研究热点。而第三代宽禁带半导体
材料的应用，进一步推动了高频、高效三相逆变器的发展。为了在小功率三相逆
变器中应用氮化镓（GaN）器件，实现高频化、小型化，本文以GaN三相数字逆
变电源作为研究对象，设计了一台功率500W、开关频率200kHz的样机。并对
相关硬件、软件进行了研究与优化。主要内容如下：
首先，根据设计需求，考虑到简化系统与谐波抑制，主功率拓扑选择三相三
线
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