硅和碳化硅MOSFET中PN结SEM图像掺杂衬度分析.pdfVIP

第54卷第3期电子科技大学学报Vol.54No.3

2025年5月JournalofUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMay2025

引用格式：冯文洁,蔡亚辉,付祥和,等.硅和碳化硅MOSFET中PN结SEM图像掺杂衬度分析[J].电子科技大学学报,2025,54(3):347-352.

FENGWJ,CAIYH,FUXH,etal.AnalysisofdopingcontrastinPNjunctionSEMimagesofSiandSiCMOSFET[J].JournalofUniversityof

ElectronicScienceandTechnologyofChina,2025,54(3):347-352.

硅和碳化硅MOSFET中PN结SEM图像

掺杂衬度分析

121111*

冯文洁，蔡亚辉，付祥和，黄丹阳，王丹，贺永宁

（1.西安交通大学微电子学院，西安710049；2.国防科技大学电子科学学院，长沙410073）

摘要：PN结是半导体器件结构的基础，对PN结掺杂剂分布的量测直接关系到器件的性能和可靠性。对于掺杂剂分

析，二次电子图像展示了巨大的潜力。基于扫描电子显微镜对硅基MOSFET和碳化硅MOSFET的PN结进行量测，发现硅

和碳化硅两种材料的掺杂衬度存在明显差异。为探究该差异产生机理，利用样品电流法测量相关材料的二次电子发射系数。

分析测试结果发现，掺杂半导体衬度产生与表面态有关，对二次电子图像在半导体量测中的应用具有指导意义。

关键词：掺杂半导体衬度；扫描电子显微镜；二次电子；表面态

中图分类号：TN307;O475文献标志码：ADOI:10.12178/1001-0548.2024064

AnalysisofdopingcontrastinPNjunctionSEMimagesofSi

andSiCMOSFET

121111*

FENGWenjie,CAIYahui,FUXianghe,HUANGDanyang,WANGDan,andHEYongning

(1.SchoolofMicroelectronics,Xi’anJiaotongUniversity,Xi’an710049,China;

2.CollegeofElectronicScienceandTechnology,NationalUniversityofDefenseTechnology,Changsha410073,China)

Abstract:PNjunctionisthefou