CN114846575B 溅射沉积设备和方法 （戴森技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114846575B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202080088594.X

(22)申请日2020.11.10

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114846575A

(43)申请公布日2022.08.02

(30)优先权数据

1916624.82019.11.15GB

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2022.06.20

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/GB2020/0528402020.11.10

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2021/094723EN2021.05.20

(73)专利权人戴森技术有限公司地址英国威尔特郡

(72)发明人M.伦德尔R.格鲁尔

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师张邦帅

(51)Int.CI.

H01J37/32(2006.01)

C23C14/35(2006.01)

H01J37/34(2006.01)

(56)对比文件

US2017207071A1,2017.07.20审查员李荣荣

权利要求书2页说明书12页附图3页

(54)发明名称

溅射沉积设备和方法

(57)摘要

CN114846575B本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，该设备包括基底保持器件、靶装载器件、用于产生等离子体的等离子体源和磁体布置。基底保持器件用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到基底。靶装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区，以便在使用中将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。磁体布置配置为将等离子体在设备内限制到靶启动区和溅射沉积区。在靶启动区内，

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CN114846575B权利要求书1/2页

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1.一种溅射沉积设备，包括：

基底保持器件，用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到所述基底；

靶装载器件，用于将第二靶从靶启动区移动到所述溅射沉积区中，以在使用中将靶材料从所述第二靶溅射沉积到基底；

等离子体源，用于产生等离子体；

磁体布置，其配置为将所述等离子体在设备内限制到：

靶启动区，相应靶在使用中在该靶启动区中暴露于所述等离子体，以消融相应靶的表面而无需溅射沉积到基底；以及

溅射沉积区，用于靶材料的溅射沉积。

2.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其中，所述靶装载器件布置成将所述第二靶移动到所述溅射沉积区以代替所述第一靶。

3.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其中，所述靶装载器件布置成将所述第二靶移动到所述溅射沉积区，以用于在使用中将所述靶材料从所述第一靶和所述第二靶溅射沉积到所述基底。

4.根据权利要求1所述的溅射沉积设备，其中，所述靶装载器件布置成当将所述第二靶移动到所述溅射沉积区时将所述第一靶从所述溅射沉积区移动。

5.根据权利要求4所述的溅射沉积设备，其中，所述靶装载器件布置成从溅射沉积区移除所述第二靶，并将所述第一靶返回到溅射沉积区。

6.根据前述权利要求中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述靶装载器件布置成当将所述第二靶移动到所述溅射沉积区时将第三靶从所述溅射沉积区移动。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述磁体布置配置为将所述等离子体限制在所述靶启动区内，以在使用中与相应靶的表面的至少一部分相互作用。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备，其中，在所述靶启动区内，在使用中所述等离子体在消融过程中与相应靶相互作用。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述溅射沉积区包括溅射沉积室。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述靶启动区包括靶启动室。

11.根据权利要求10所述的溅射沉积设备，其中，所述靶启动室在使用中处于至少部分真空下。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的溅射沉积设备，其中，所述靶装载器件包括靶传送器，用于在所述靶启动区和所述溅射沉积区之