现代电工电子技术 第3版 课件 第11章 电力电子器件及基本电力变换电路.pptxVIP

第11章电力电子器件及基本电

力变换电路;

第11章电力电子器件

及基本电力变换电路

11.1常用电力电子器件

11.2可控整流电路;

11.1常用电力电子器件

按照器件被控制信号所控制的程度，可做如下分类

半控型器件(Thyristor)通过控制信号可控制通，不能控制关

全控型器件(IGBT,MOSFET)通过控制信号既可控制通又可控制关又称自关断器件

不可控器件(PowerDiode)不能用控制信号来控制其通断，不需要驱动电路

按照驱动电路信号的性质分

电流驱动型从控制端注入或抽出电流来实现通、断

电压驱动型在控制端和公共端间施加电压就可实现通、断;

晶闸管(Thyristor):晶体闸流管，可控硅整流器

(SiliconControlledRectifier——SCR)

1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。

1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。

1958年商业化。

开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。

耐高电压大电流，工作可靠，在大容量场合具有重要地位。;

形成强烈正反馈晶闸管导通Ic(EG)失去作用，IA大小由外电路决定

晶闸管晶闸管承受正向电压A

导通条R

件UGK0G

IAH

晶闸管K

关断?使晶闸管的电流小于维持电流

增大R或减小EA;

晶闸管特性曲线

(1)正向特性

G=0时，器件两端加正向电压，有很小的正向漏电流，为正向阻断状态。

正向电压超过正向转折电压Ub,则漏电流急剧增大，器件开通。

随着门极电流幅值个，正向转折电压↓

晶闸管本身的压降很小，1V左右。UA

(2)反向特性

阻断状态时，有极小反相漏电流。;

2)电流定额

通态平均电流IT(AV)

允许长期流过的最大工频正弦半波电流的平均值。使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。

维持电流IH——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。

擎住电流I——刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常I约为I的2~4倍。

浪???电流ITsM——使超过额定结温的不重复性最大正向过载电流;

3)动态参数

除开通时间t?和关断时间t。外，还有：

断态电压临界上升率du/dt

额定结温、门极开路，从断态到通态转换的外加电压最大上升率。

—电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通。

通态电流临界上升率di/dt——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有

害影响的最大通态电流上升率。——如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。;

11.1.2绝缘栅双极晶体管

GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力

很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热

稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。

两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件

绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipolarTransistor—IGBT)GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。

1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。

继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。;

●IGBT的原理

场控器件，原理与电力MOSFET基本相同，通断由栅射极电压uB决定。

导通：ucE大于UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，提供基极电流，IGBT导通。

通态压降：电导调制效应使电阻R减小，使通态压降减小。;

正向阻断这

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G个

1.4个

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2.带阻感负载的工作情况

◎电路结构√工作原理及波形分析

假设电路已达稳态，ia平均值不变。

电感很大，电流i连续且波形近似为水平线

●数量关系

Ua=0.9U?cosa

晶闸管移相范围为90°。

由承受最大正反向电压均为√2U?

晶闸管导通角θ与a无关，均为180°

4电流的平均值和有效值：;

t=0时