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杭州电子科技大学《材料科学基础》考研专业课真题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、单项选择题（每小题2分，共20分。下列每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确选项的字母填在题后的括号内。）

1.在面心立方（FCC）晶体结构中，一个原子周围最近邻原子共有（）个。

A.4

B.6

C.8

D.12

2.下列哪种缺陷的存在通常会显著降低金属的强度？（）

A.点缺陷中的空位

B.点缺陷中的间隙原子

C.位错

D.晶界

3.根据能带理论，金属导体能够导电是因为其（）。

A.存在满的价带

B.存在满的导带

C.价带和导带重叠或价带空穴

D.离子实排列成规则的晶格

4.在离子化合物中，决定其晶格类型和稳定性的主要因素是（）。

A.金属阳离子的半径

B.非金属阴离子的半径

C.离子键的强度

D.A和B以及它们之间的半径比

5.下列关于晶体缺陷的说法中，正确的是（）。

A.点缺陷只会增加材料的脆性

B.位错的存在使晶体产生塑性变形

C.晶界总是降低晶体的自由能

D.堆垛层错是面心立方晶体中的一种点缺陷

6.根据X射线衍射的布拉格定律2dsinθ=λ，当入射角θ增大时，为保持衍射发生，晶面间距d（）。

A.必须增大

B.必须减小

C.保持不变

D.可能增大也可能减小

7.下列哪种材料的电导率主要受晶格离子振动的影响？（）

A.金属

B.离子晶体

C.共价晶体

D.半导体

8.在其他条件相同时，材料的熔点一般随其原子半径的增大而（）。

A.升高

B.降低

C.不变

D.可能升高也可能降低

9.金属发生塑性变形时，其内部主要发生的是（）。

A.晶粒的断裂

B.晶格的畸变

C.原子的重排

D.相的转化

10.下列材料中，通常具有最低热导率的是（）。

A.金属

B.离子晶体

C.共价晶体（如金刚石）

D.非晶态材料

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填写在横线上。）

1.晶体中原子（或离子、分子）在三维空间作周期性重复排列的特征称为________。

2.位错线周围的晶体晶格发生扭曲的区域称为________。

3.材料的强度、硬度等力学性能与其晶体结构、缺陷、温度及________等因素密切相关。

4.共价键是原子间通过共用________而形成的化学键。

5.能带理论认为，晶体中原子间的相互作用使得原子的________能级分裂成一系列能带。

6.离子晶体的结合力主要来源于正负离子间的________作用。

7.晶体缺陷按几何形状可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和________。

8.金属的密排六方（HCP）结构中，每个原子周围最近邻原子共有________个。

9.相图是表示物质体系在________变化时，各相平衡关系的图形。

10.材料的导电性除了与电子结构有关外，还与温度、________等因素有关。

三、名词解释（每小题4分，共20分。请给出每个名词的精确定义或解释。）

1.晶胞

2.间隙原子

3.劈裂

4.能带

5.相

四、简答题（每小题6分，共30分。请简要回答下列问题。）

1.简述点缺陷对金属力学性能的影响。

2.简述金属键的特点。

3.简述影响材料熔点的因素。

4.简述位错运动是如何导致金属塑性变形的。

5.简述离子键的形成条件及其特点。

五、计算题（每小题10分，共20分。请列出计算过程并给出结果。）

1.已知面心立方晶体的晶格常数a=0.36nm，计算其原子密度（原子数/立方米）。（提示：面心立方晶胞中含4个原子）

2.某金属材料的电阻率ρ=1.7×10^-8Ω·m，其密度ρ_m=8.9g/cm^3，价电子数为2。试估算该金属的原子半径。（可近似认为每个原子贡献一个自由电子，并使用金属电子气模型中原子半径r的表达式：r=(m_e*k^2*h^2)/(2*π^2*e^2*N_A*ρ_m*a^2)，其中a为晶格常数，需自行推导或查找与ρ、ρ_m、价电子数相关的简化公式或参数）

六、论述题（10分。请就以下问题展开论述。）

结合你所学的材