CN111200083B 用于形成发光元件图案的方法和显示装置 （三星显示有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111200083B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号201911132235.5

(22)申请日2019.11.19

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111200083A

(43)申请公布日2020.05.26

(30)优先权数据

10-2018-01427432018.11.19KR

(73)专利权人三星显示有限公司地址韩国京畿道龙仁市

(72)发明人全祐奭

(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286

专利代理师张晓陈亚男

(51)Int.CI.

H10K71/00(2023.01)

H10K59/10(2023.01)

(56)对比文件

CN104282713A,2015.01.14

CN107112417A,2017.08.29

US6013538A,2000.01.11

WO2018179132A1,2018.10.04审查员孔敏

权利要求书2页说明书14页附图18页

(54)发明名称

用于形成发光元件图案的方法和显示装置

(57)摘要

CN111200083B提供了一种用于形成发光元件图案的方法和显示装置。根据发明构思的实施例的用于形成发光元件图案的方法包括：在目标材料上形成具有开口的图案层；在与开口对应的目标材料上形成发光元件图案；以及去除图案层。这里，图案层包括设置在目标材料上的第一图案层、设置在第一图案层上的第二图案层和设置在第二图案层

CN111200083B

DR2

DR1

CN111200083B权利要求书1/2页

2

1.一种用于形成发光元件图案的方法，所述方法包括以下步骤：

在目标材料上形成具有开口的图案层；

在与所述开口对应的所述目标材料上形成发光元件图案；以及

去除所述图案层，

其中，所述图案层包括：第一图案层，设置在所述目标材料上；第二图案层，设置在所述第一图案层上；以及第三图案层，设置在所述第二图案层上，

所述第二图案层具有从所述第三图案层的边缘凹入的底切部分，以限定所述第一图案层和所述第三图案层之间的内部开口，

在所述目标材料上形成所述发光元件图案的步骤包括：形成覆盖通过所述开口暴露的所述目标材料的发光层和覆盖所述图案层的上表面的虚设发光层；形成覆盖所述发光层的电极层和覆盖所述虚设发光层的虚设电极层；以及形成覆盖所述电极层和所述第一图案层的与所述开口相邻设置的侧壁的保护层以及覆盖所述虚设电极层的虚设保护层，并且

所述保护层和所述虚设保护层由于所述内部开口而彼此分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案层的形成步骤包括：

在所述目标材料上形成第一层；

在所述第一层上形成第二层；

在所述第二层上形成第三层；

通过使所述第三层图案化来形成所述第三图案层；

通过使所述第二层图案化来形成所述第二图案层；以及

通过使所述第一层图案化来形成所述第一图案层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三图案层的形成步骤包括：

使所述第三层曝光；以及

通过使所述第三层的曝光部分显影来形成具有与所述开口对应的第一开口的所述第三图案层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二图案层的形成步骤包括通过使用所述第三图案层作为掩模蚀刻所述第二层来形成具有所述内部开口的所述第二图案层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，使用各向同性蚀刻方法蚀刻所述第二层。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一图案层的形成步骤包括使用所述第三图案层作为掩模蚀刻所述第一层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，使用各向异性蚀刻方法蚀刻所述第一层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案层的形成步骤包括：

在所述目标材料上形成第一层；

在所述第一层上形成第二层；

在所述第二层上形成第三层；

通过使所述第三层图案化来形成所述第三图案层；

通过使所述第二层图案化来形成初步图案层；

通过使所述第一层图案化来形成所述第一图案层；以及

通过蚀刻所述初步图案层来形成所述第二图案层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三图案层的形成步骤包括：

CN111200083B权利要求书