CN114156086B 多层电子组件及其制造方法 (三星电机株式会社).docxVIP

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CN114156086B 多层电子组件及其制造方法 (三星电机株式会社).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114156086B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202110685982.2(51)Int.CI.

(22)申请日2021.06.21H01G

(22)申请日2021.06.21

H01G4/005(2006.01)

(65)同一申请的已公布的文献号

(56)对比文件申请公布号CN114156086A

US2019180936A1,2019.06.13

CN110931254A,2020.03.27审查员

CN110931254A,2020.03.27

审查员张秋红

(30)优先权数据CN110828171A.2020.02.21

10-2020-01139982020.09.07KR

(73)专利权人三星电机株式会社地址韩国京畿道水原市

(72)发明人韩准兑尹瑄浩金正烈俞明花吴泳俊朴珺雅

(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限

公司11286

专利代理师包国菊薛丞丞

权利要求书2页说明书16页附图7页

(54)发明名称

多层电子组件及其制造方法

21

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CN114156086B(57)摘要S本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层并且具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面;多个内电极,设置在所述主体的内部,暴露于所述第一表面和所述第二表面,并且具有暴露于所述第三表面或所述第四表面的一端;侧边缘部,设置在所述第一表面和所述第二表面上;以及外电极,设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述侧边缘部和所述多个介电层包括金属,并且包括在所述侧边缘部中的所述

CN114156086B

(57)摘要

S

CN114156086B权利要求书1/2页

2

1.一种多层电子组件,包括:

主体,包括多个介电层并且具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面;

多个内电极,设置在所述主体的内部,暴露于所述第一表面和所述第二表面,并且具有暴露于所述第三表面或所述第四表面的一端;

侧边缘部,设置在所述第一表面和所述第二表面上;以及

外电极,设置在所述第三表面和所述第四表面上,

其中,所述侧边缘部和所述多个介电层包括金属,并且包括在所述侧边缘部中的所述金属的重量比大于包括在所述介电层中的所述金属的重量比,并且

其中,包括在所述侧边缘部和所述多个介电层中的所述金属是Ni,或者包括在所述侧边缘部和所述多个介电层中的所述金属与包括在所述多个内电极中的金属相同。

2.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部包括多个介电晶粒和孔,其中,所述金属设置在所述孔中。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,包括在所述侧边缘部中的所述金属的直径是所述介电层的厚度的0.8倍或更小。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部被划分成与所述多个内电极相邻的第一区域和与所述侧边缘部的外表面相邻的第二区域,并且

包括在所述第一区域中的所述金属的重量比大于包括在所述第二区域中的所述金属的重量比,并且包括在所述第二区域中的所述金属的重量比大于包括在所述介电层中的所述金属的重量比。

5.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述内电极的连接性超过80%,所述内电极的连接性被定义为所述内电极的实际长度与总长度的比。

6.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,在所述多个内电极中,所述侧边缘部的和最外侧内电极的端部接触的区域的厚度与所述侧边缘部的和中间内电极的端部接触的区域的厚度的比为大于或等于0.9且小于或等于1.0。

7.根据权利要求1所述的多层电子组件,其中,所述侧边缘部的和所述主体的边缘接触的区域的厚度与所述侧边缘部的和所述多个内电极中的中间内电极的端部接触的区域的厚度的比为大于或等于0.9且小于或等于1.0。

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