CN113574633B 半导体模板和制造方法 （六边钻公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113574633B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202080021726.7

(22)申请日2020.03.18

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113574633A

(43)申请公布日2021.10.29

(30)优先权数据62019.03.18EP72020.03.09EP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2021.09.16

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2020/0574512020.03.18

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2020/187986EN2020.09.24

(73)专利权人六边钻公司地址瑞典亚鲁普

(72)发明人毕朝霞J·奥尔松L·塞缪尔森

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师刘媛媛

(51)Int.CI.

H01L21/02(2006.01)

H10H20/812(2025.01)

(56)对比文件

CN109075022A,2018.12.21

CN104205294A,2014.12.10

审查员韩增智

权利要求书2页说明书10页附图11页

(54)发明名称

半导体模板和制造方法

(57)摘要

CN113574633B一种用于制造InGaN半导体模板的方法，其包括在半导体衬底上生长具有倾斜小面的InGaN棱锥；通过去除半导体材料来加工所述棱锥以形成具有第一上表面的截棱锥；在所述第一上表面上方生长InGaN,以形成具有形成顶表面的c平面晶体小面的InGaN模板层。所述InGaN半导体模板

CN113574633B

CN113574633B权利要求书1/2页

2

1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：

在半导体衬底上生长具有倾斜小面的InGaN棱锥；

通过去除半导体材料来加工所述棱锥以形成具有第一上表面的截棱锥；

在所述第一上表面上方生长InGaN,以形成InGaN半导体模板，所述InGaN半导体模板具有形成顶表面的c平面晶体小面的InGaN模板层；

在所述模板层上生长另外的半导体层以形成异质结构，其中所述另外的半导体层中的至少一个具有与所述模板层不同的组成，

其中提供所述另外的半导体层中的至少一个以形成量子阱结构，且所述半导体装置是：

绿光LED,并且其中所述另外的层中的至少一个以20-30%的铟含量生长；或者

红光LED,并且其中所述另外的层中的至少一个以35%的铟含量生长。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在去除半导体材料之前，在所述棱锥上沉积涂覆层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述加工包括：

抛光所述如此涂覆的棱锥以形成所述截棱锥，和

蚀刻所述截棱锥以去除剩余的涂覆材料。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述第一上表面是不均匀的，并且其中所述第一上表面上方的InGaN的所述生长提供所述截棱锥的平坦化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中第一上表面是圆顶形的，并且其中所述生长InGaN的步骤包括将多个外延层直接顺序生长到所述圆顶形的第一上表面上，所述外延层终止于所述倾斜小面处以形成所述c平面晶体小面。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述加工所述棱锥的步骤包括蚀刻所述棱锥，所述方法进一步包括：

将包括多个外延层的中间InGaN层以0%且5%的铟含量直接生长到所述第一上表面上，以形成第二上表面；和

将InGaN以5-20%的铟含量生长到所述第二上表面上以形成所述InGaN模板层。

7.一种半导体装置，其包括：

半导体衬底；

具有倾斜小面的InGaN晶体截棱锥，其外延生长到所述半导体衬底上并通过去除半导体材料而被加工以形成第一上表面；

具有形成顶面的c平面晶体小面的InGaN模板层，其生长在InGaN半导体模板的所述第一上表面上方；

一或多个另外的半导体层，其被生长在所述模板层上以形成异质结构，其中所述另外的半导体层中的至少一个具有与所述模板层不同的组成且其中提供所述另外的半导体层中的至少一个以形成量子阱结构；

其中所述半导体装置是光电装置，所述光电装置包括：

绿光LED,其中所述另外的层中的至少一个具有20-30%的铟含量，和/或

红光LED