CN114759134B Led芯片测试方法 （江西兆驰半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114759134B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202210379988.1

(22)申请日2022.04.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114759134A

(43)申请公布日2022.07.15

(73)专利权人江西兆驰半导体有限公司

地址330000江西省南昌市南昌高新技术

产业开发区天祥北大道1717号

(72)发明人李美玲张星星简宏安胡加辉金从龙

(74)专利代理机构南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)36150

专利代理师彭琰

(51)Int.CI.

H1OH20/857(2025.01)

H01L21/66(2006.01)

H01L23/544(2006.01)

(56)对比文件

CN111929571A,2020.11.13CN106493094A,2017.03.15

审查员余泽慧

权利要求书2页说明书11页附图8页

(54)发明名称

LED芯片测试方法

(57)摘要

CN114759134B本发明提供一种LED芯片测试方法，所述方法包括：根据LED晶圆片所切割成的各个LED芯片排布，制作对应设有多个金属电极的透明导电膜，各个金属电极用于与各个LED芯片的电极连接形成多组串联和/或并联的LED芯片组；将透明导电膜贴附在LED晶圆片上，使各个LED芯片的电极分别与所对应的金属电极相接触而形成多组由多个LED芯片串联和/或并联的LED芯片组；依次将预设数量的多组探针分别放置在透明导电膜中的每组LED芯片组首尾两端的金属电极上同时测试多组LED芯片组的光电参数数据，直至在LED晶圆片上的所有LED芯片组测试完毕后将透明导电膜去除。本发明解决了现有LED芯片测试

CN114759134B

根据LED晶圆片所切割成的各个LED芯片排布，制作

S01对应设有多个金属电极的透明导电膜，各个金属电极

S01

用于与各个LED芯片的电极连接形成多组串联和/或并

联的LED芯片组

S02将透明导电膜贴附在LED晶圆片上，使各个LED芯片

S02

的电极分别与所对应的金属电极相接触而形成多组由

多个LED芯片串联和/或并联的LED芯片组

依次将预设数量的多组探针分别放置在透明导电膜中

S03的每组LED芯片组首尾两端的金属电极上同时测试多

S03

组LED芯片组的光电参数数据，直至在LED晶圆片上

的所有LED芯片组测试完毕后将透明导电膜去除

CN114759134B权利要求书1/2页

2

1.一种LED芯片测试方法，其特征在于，所述方法包括：

根据LED晶圆片所切割成的各个LED芯片排布，制作对应设有多个金属电极的透明导电膜，各个金属电极用于与各个LED芯片的电极连接形成多组串联和/或并联的LED芯片组，所述金属电极包括连接电极和测试电极，

所述制作对应设有多个金属电极的透明导电膜的步骤包括：

在透明导电膜上用于与LED芯片组的各个LED芯片的电极进行串联和/或并联的位置区域设置连接电极，

在透明导电膜上用于与LED芯片组的首尾两端LED芯片的电极对应的位置区域设置测试电极，其中测试电极的尺寸大于LED芯片的电极的尺寸，且测试电极穿透透明导电膜；

将透明导电膜贴附在LED晶圆片上，使各个LED芯片的电极分别与所对应的金属电极相接触而形成多组由多个LED芯片串联和/或并联的LED芯片组；

依次将预设数量的多组探针分别放置在透明导电膜中的每组LED芯片组首尾两端的金属电极上同时测试多组LED芯片组的光电参数数据，直至在LED晶圆片上的所有LED芯片组测试完毕后将透明导电膜去除。

2.根据权利要求1所述的LED芯片测试方法，其特征在于，所述方法还包括：

扩膜将LED晶圆片中的各个LED芯片分隔成等间距排列；

对各个LED芯片进行AOI外观检测；

在光电参数数据不良及外观检测不良的LED芯片上进行点胶；

将空蓝膜贴附在各个LED芯片表面，使所点胶后的LED芯片与空蓝膜黏连；

通过UV照射或加热使胶固化，并撕除空蓝膜使所黏连的LED芯片进行剥离。

3.根据权利要求1所述的LED芯片测试方法，其特征在于，所述LED晶圆片和透明导电膜上分别对应设有用于识别各个LED芯片位置的多个标记点；

所述制作对