CN119789457B 一种高耐压场板终端平面栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119789457B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202510267494.8

(22)申请日2025.03.07

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119789457A

(43)申请公布日2025.04.08

(73)专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限

公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人施广彦何佳李昀佶陈彤

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.CI.

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/66(2025.01)

H10D64/00(2025.01)

(56)对比文件

CN118899224A,2024.11.05

CN118866687A,2024.10.29审查员刘宁

权利要求书1页说明书5页附图9页

(54)发明名称

一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法

(57)摘要

CN119789457B本发明提供了一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区、第一N型区、第二N型区、P型阱区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成栅极介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成场板金属层；去除阻挡层，完成制

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CN119789457B权利要求书1/1页

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1.一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；

步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型区；

步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第一N型区；

步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第二N型区；

步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成P型阱区；

步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向P型阱区进行离子注入，形成N型源区；

步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成栅极介质层；

步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；

步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层；

步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积，形成绝缘介质层；

步骤11、去除步骤10的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成场板金属层；去除阻挡层，完成制备；

所述P型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述P型区内侧面连接至所述P型阱区外侧面；所述第一N型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第一N型区内侧面连接至所述P型区外侧面；所述第二N型区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述第二N型区内侧面连接至所述第一N型区外侧面。

2.如权利要求1所述的一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述第一N型区的宽度、P型区的宽度以及第二N型区的宽度均相等。

3.如权利要求1所述的一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述场板金属层的厚度小于所述源极金属层的厚度。

4.如权利要求1所述的一种高耐压场板终端平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：所述第一N型区的掺杂浓度小于所述漂移层的掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的一种高耐压