CN119835978B 一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅vdmos及制备方法 （泰科天润半导体科技（北京）有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119835978B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202510308325.4

(22)申请日2025.03.17

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN119835978A

(43)申请公布日2025.04.15

(73)专利权人泰科天润半导体科技(北京)有限

公司

地址101300北京市顺义区中关村科技园

区顺义园临空二路1号

(72)发明人何佳周海胡臻

(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212

专利代理师刘晓明

(51)Int.CI.

H10D30/66(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D62/83(2025.01)

(56)对比文件

CN118658883A,2024.09.17

CN118762998A,2024.10.11

审查员刘宁

权利要求书2页说明书5页附图10页

(54)发明名称

一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备

方法

(57)摘要

CN119835978B本发明提供了一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成低阻区以及第一凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一阱区以及第二凸起部；重新形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型源区及P型阱区；重新形成阻挡层，刻蚀，氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；重新形成阻挡层，刻蚀，并淀积金属，形成栅极金属层及源极金属层，去除阻挡层，完成制备；解决了沟槽栅的栅极可靠性问题，且不需

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CN119835978B权利要求书1/2页

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1.一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤1、在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；

步骤2、在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成低阻区以及第一凸起部；

步骤3、去除步骤2的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第一阱区以及第二凸起部；

步骤4、去除步骤3的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第一阱区进行离子注入，形成P型源区；

步骤5、去除步骤4的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向漂移层进行离子注入，形成第二阱区，P型阱区包括第一阱区以及第二阱区；

步骤6、去除步骤5的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，向第二阱区进行离子注入，形成N型源区；

步骤7、去除步骤6的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，刻蚀第一阱区以及漂移层，之后氧化形成绝缘介质层，所述绝缘介质层内设有沟槽；

步骤8、去除步骤7的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并淀积金属，形成栅极金属层；

步骤9、去除步骤8的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀P型源区，之后淀积金属，形成第一源极金属区；

步骤10、去除步骤9的阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀P型阱区以及N型源区，之后淀积金属，形成第二源极金属区，源极金属层包括第一源极金属区以及第二源极金属区，去除阻挡层，完成制备；

所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有第一凸起部，所述第一凸起部上设有第二凸起部，所述第二凸起部上设有凹槽；

所述低阻区下侧面连接至所述漂移层上侧面，所述低阻区内侧面连接至所述第一凸起部外侧面；

所述P型阱区连接至所述低阻区上侧面、漂移层上侧面、第一凸起部上侧面、第二凸起部外侧面以及第二凸起部上侧面；所述P型阱区上设有N型源区；

所述P型源区连接至所述P型阱区；

所述绝缘介质层下部设于所述凹槽内，所述绝缘介质层外侧面分别连接所述P型阱区以及N型源区；所述绝缘介质层内设有沟槽；

所述栅极金属层设于所述沟槽内；

所述源极金属层分别连接所述P型源区、P型阱区以及N型源区。

2.如权利要求1所述的一种沟槽源极的沟槽栅碳化硅VD