半导体材料导论结课复习题试卷及答案.docxVIP

半导体材料导论结课复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.下列哪种材料通常被认为是直接带隙半导体？（）

A.Si

B.GaAs

C.Ge

D.SiC

2.在本征半导体中，当掺入五价元素杂质时，形成的半导体类型是？（）

A.n型半导体

B.p型半导体

C.本征半导体

D.超额n型半导体

3.晶体缺陷中，下列哪一种通常对材料的电学性能有显著的改善作用？（）

A.空位

B.堆垛层错

C.位错

D.受主杂质

4.下列哪种方法不属于常用的半导体外延生长技术？（）

A.化学气相沉积（CVD）

B.分子束外延（MBE）

C.区域熔炼法

D.气相外延（VPE）

5.硅（Si）晶体属于哪种晶体结构？（）

A.面心立方

B.体心立方

C.金刚石（闪锌矿）结构

D.密排六方

6.半导体材料的禁带宽度直接决定了其？（）

A.熔点

B.电阻率

C.能否导电

D.发光颜色

7.在半导体器件中，P型半导体通常用哪种符号表示？（）

A.N

B.P

C.C

D.K

8.能带理论的基本假设之一是认为组成晶体的原子核是固定不动的。（）

A.正确

B.错误

9.下列哪种材料通常具有较高的热导率和较好的化学稳定性？（）

A.GaAs

B.SiC

C.InP

D.Ge

10.掺杂半导体中，费米能级的位置主要取决于？（）

A.温度

B.掺杂浓度

C.材料种类

D.以上都是

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在横线上）

1.半导体中，电子从价带跃迁到导带所需的能量称为________。

2.晶体缺陷按维度可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，空位属于________缺陷。

3.硅（Si）和锗（Ge）都属于________族元素半导体。

4.在N型半导体中，主要的载流子是________，次要载流子是________。

5.MOCVD是一种________制备半导体薄膜的技术，它通常需要在________气氛下进行。

6.半导体的能带结构是由构成晶体的原子________能级相互叠加并扩展形成的。

7.能带理论认为，满带中的电子不能吸收能量跃迁到空带，这是基于________原理。

8.间接带隙半导体的光吸收主要发生在________附近。

9.半导体材料的导电性随温度升高而________（填“增加”或“减小”）。

10.离子注入是一种常用的半导体掺杂技术，它可以将掺杂离子注入到半导体材料的________层。

三、判断题（每小题2分，共20分。请将“对”或“错”填在题后的括号内）

1.所有材料的能带结构都是连续的。（）

2.P型半导体中，空穴是主要的载流子。（）

3.位错的存在通常会降低材料的机械强度，但对其电学性能影响不大。（）

4.Czochralski法（直拉法）主要用于生长硅、锗等元素半导体单晶。（）

5.化合物半导体的禁带宽度通常比元素半导体更大。（）

6.晶体中的点缺陷对材料的物理性质影响较小。（）

7.本征半导体的电导率主要取决于温度。（）

8.费米能级在热平衡状态下是一个常数。（）

9.SiC是一种直接带隙半导体材料。（）

10.掺杂可以提高半导体的本征载流子浓度。（）

四、简答题（每题5分，共20分）

1.简述能带形成的物理过程。

2.简述n型半导体和p型半导体中，载流子浓度是如何计算的。

3.简述点缺陷对半导体材料电学性能的影响。

4.简述外延生长技术的基本原理及其在半导体器件中的应用意义。

五、计算题（每题10分，共20分）

1.已知室温下硅的本征载流子浓度n_i=1.04x10^10cm^-3。现向硅中掺入磷（P）杂质，磷原子浓度为N_D=1x10^21cm^-3。假设有效质量近似成立，且电子迁移率μ_n=1400cm^2/Vs，空穴迁移率μ_p=450cm^2/Vs。计算室温下该n型硅的平衡电子浓度、空穴浓度、电导率以及费米能级相对于导带底的能量E_F-E_C。（设E_g(Si)