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12kV真空灭弧室内部电场分布影响因素分析综述

目录

TOC\o1-3\h\u23912kV真空灭弧室内部电场分布影响因素分析综述 1

129211.1屏蔽罩对电场分布的影响 1

92101.2屏蔽罩半径对内部电场分布的影响 1

303461.3本章小结 5

7510第2章断路器优化设计 5

211002.1屏蔽罩结构优化设计 5

266022.2金属环厚度对灭弧室内部电场的影响 5

137272.3金属环材质对灭弧室内部电场的影响 9

237162.4断路器空间场强优化建议 10

1.1屏蔽罩对电场分布的影响

灭弧室内电场的分布状态是否满足要求决定了对绝缘情况的评价。为了对灭弧室内电场进行更好的研究，在软件中建立不同类型的模型以实现对其的进行对照分析和研究。在对灭弧室的研制和发展过程中，理想材料状况下的电极在真空中正常工作而不被击穿的最高场强为107V/m。充分考虑多种条件的影响，如：其电场分布不平均性、电极材料和击穿阈值等，用于生产的灭弧室在设计时，灭弧室内应保证其场强小于8×106V/m。但是，其内部的绝缘特性除了与场强有关外还与其他因素有关。例如，其内部场强的最大处和最小处的差值，即电场分布是否均匀的特性，其分布越均匀差值越小，其绝缘特性也就越优秀。所以，应用这种分析方法，能得到灭弧室内两触头的距离、触点和绝缘罩的外形等影响方面对灭弧室内电场的分布情况的影响。

触头和屏蔽罩间的位置以及屏蔽罩的非中心区域电场分布不够平均，对灭弧室的特性产生了不好的影响，是灭弧室内最需要注意是否会发生击穿的区域。为了改善电场分布的情况，对屏蔽罩的大小尺寸、形状等因素进行研究，并分析它们与电场分布的关系，以使上述区域的电场分布更加均匀。

1.2屏蔽罩半径对内部电场分布的影响

为了对屏蔽罩的大小尺寸、形状等因素与电场分布的关系进行分析，运用控制变量法。其他影响因素保持不变，仅仅改变屏蔽罩半径的大小，取其半径分别为48.75mm、51.25mm和53.75mm三种情况，分别对其内部电场进行仿真分析并对比。由于灭弧室中电场主要集中在屏蔽罩内，故本次仿真只讨论屏蔽罩内部电场分布情况。因为仿真的步骤太多且复杂，因此为了减少仿真所需时间，对模型进行精简。下图8-13为绝缘罩半径分别为48.75mm、51.25mm和53.75nn三种情况时静触头表面在中心线方向的电场分布情况和电场模型的垂向剖面电场的分布情况。

图8电场分布曲线图（屏蔽罩外径48.75mm)

图9真空断路器灭弧室电场分布（屏蔽罩外径48.75mm)

通过仿真电场分布情况，不难在图9中看出灭弧室内电场主要在1.83×106V/m到8.50×104V/m区间内。电场主要集中在触头间隙的边缘位置。

图10电场分布曲线图（屏蔽罩外径51.25mm)

图11真空断路器灭弧室电场分布（屏蔽罩外径51.25mm)

通过仿真电场分布情况，能够在图11中看出灭弧室内电场主要在2.35×106V/m到2.06×104V/m区间内。电场主要集中在触头间隙的边缘位置。

图12电场分布曲线图（屏蔽罩外径53.75mm)

图13真空断路器灭弧室电场分布（屏蔽罩外径53.75mm)

通过仿真电场分布情况，可以在图13中看出灭弧室内电场强度主要在9.03×105V/m到1.19×104V/m区间内。电场主要集中在触头间隙的边缘位置。

综上所述，由图8、10、12可得以下结论：1）从这三张图的走势来说，在静触头表面的最外围处开始，场强上升速度加快，但场强在与静触头间距变大时就开始下降，最后，曲线变得平稳。产生这种现象的原因是：在静触头表面的最外围处附近的区域其所占位置不大，最终造成了此位置内的电荷过于集中的现象，因此此位置的场强会很快的增大。但场强在与静触头所离间距逐渐增大的过程中，电荷逐渐平均分布于各处，场强也开始下降，后曲线变得平稳。2）随着屏蔽罩半径逐渐增加的过程中，场强的峰值都是下降的，其峰值从1.1×105V/m下降至1.1×105V/m，且半径增大时其曲线也变得更加平稳。因此，半径处在一定区间内，随着其值的增加，屏蔽罩与触头间的场强随之减小，且分布变得越来越平均。

1.3本章小结

本章阐述了绝缘罩与电场分布的关系，也说明了其优化所需改进的地方及断路器运行过程对场强的需要条件，还有灭弧室的绝缘性优劣的评价指标。通过对比不同绝缘罩半径对电场分布的影响情况，对不同绝缘罩半径下的场强进行对比分析，得出最终结论如下：半径处在一定区间时，随着其值的增加，屏蔽罩与触头间的场强随之减小，且分布变得越来越平均。以期对屏蔽罩半径的设计提供参考。

第2章断路器优化设计

2.1屏蔽罩结构优化设计

由第四章的结论可知