CN113054003B 集成芯片及形成其的方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113054003B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010800249.6

(22)申请日2020.08.11

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113054003A

(43)申请公布日2021.06.29

(30)优先权数据

16/821,2472020.03.17US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

(72)发明人陈高超何嘉政刘铭棋

(74)专利代理机构南京正联知识产权代理有限公司32243

专利代理师王素琴

(51)Int.CI.

H10D64/00(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

(56)对比文件

US2020013888A1,2020.01.09US2019088777A1,2019.03.21US2010032758A1,2010.02.11CN109585373A,2019.04.05

审查员罗富怀

权利要求书3页说明书13页附图9页

(54)发明名称

集成芯片及形成其的方法

128124

128

124

118-

124e

104--106

102-

CN113054003B一种集成芯片包括上覆在隔离结构上的场板。栅极电极在源极区与漏极区之间上覆在衬底上。蚀刻停止层在侧向上从栅极电极的上表面延伸到衬底的前侧。蚀刻停止层上覆在设置在源极区与漏极区之间的漂移区上。场板设置在第一层间介电(ILD)层内，第一层间介电层上覆在衬底上。场板从第一ILD层的顶表面延伸到蚀刻停止层的上表面。隔离结构设置在衬底内且从衬底的

CN113054003B

CN113054003B权利要求书1/3页

2

1.一种集成芯片，包括：

栅极电极，在源极区与漏极区之间上覆在衬底上；

蚀刻停止层，在侧向上从所述栅极电极的上表面延伸到所述衬底的前侧，其中所述蚀刻停止层上覆在设置在所述源极区与所述漏极区之间的漂移区上；

场板，设置在第一层间介电层内，所述第一层间介电层上覆在所述衬底上，其中所述场板从所述第一层间介电层的顶表面延伸到所述蚀刻停止层的上表面；以及

隔离结构，设置在所述衬底内且从所述衬底的所述前侧延伸到位于所述衬底的所述前侧下方的点，且所述隔离结构设置在所述漂移区内，其中所述隔离结构在侧向上设置在所述栅极电极与所述漏极区之间，且其中所述场板上覆在所述隔离结构上，所述场板在侧向上设置在所述漏极区及所述栅极电极之间且与所述漏极区及所述栅极电极间隔开，且所述场板的边缘在侧向上设置在所述隔离结构的第一外侧壁之外，所述场板直接接触所述蚀刻停止层的侧壁但不延伸至所述栅极电极的顶表面上。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述隔离结构包含第一材料且所述衬底包含与所述第一材料不同的第二材料。

3.根据权利要求2所述的集成芯片，其中所述第一材料是二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅或碳氧化硅，且所述第二材料是硅。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述栅极电极包含第一导电材料，且所述场板包含与所述第一导电材料不同的第二导电材料。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，还包括：

多个接触件，设置在所述第一层间介电层内且上覆在所述衬底上，其中所述多个接触件的顶表面与所述场板的顶表面对齐。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述场板包括：

第一场板结构，从所述第一层间介电层的所述顶表面延伸到所述蚀刻停止层的所述上表面；以及

第二场板结构，从所述第一层间介电层的所述顶表面延伸到所述蚀刻停止层的所述上表面，其中所述第二场板结构在侧向上与所述第一场板结构偏移开非零距离，且其中所述第二场板结构的至少一部分直接上覆在所述隔