CN113497187B 半导体器件及其制造方法 （爱思开海力士有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN113497187B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010782784.3

(22)申请日2020.08.06

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN113497187A

(43)申请公布日2021.10.12

(30)优先权数据

10-2020-00345282020.03.20KR

(73)专利权人爱思开海力士有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人李建泳金炫

(51)Int.CI.

H10N97/00(2023.01)

H10B12/00(2023.01)

(56)对比文件

US2014065784A1,2014.03.06US2016163725A1,2016.06.09

US2018175042A1,2018.06.21

US2013147048A1,2013.06.13US2010237466A1,2010.09.23审查员王宝林

(74)专利代理机构北京弘权知识产权代理有限

公司11363专利代理师郭放许伟群

权利要求书3页说明书47页附图46页

(54)发明名称

半导体器件及其制造方法

(57)摘要

CN113497187B一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成包括模具层和支撑体层的模具堆叠层；通过刻蚀所述模具堆叠层形成开口；在位于所述开口中的所述支撑体层的暴露表面上选择性地形成支撑体加强层；在形成有所述支撑体加强层的所述开口中形成底电极；通过刻蚀所述

CN113497187B

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CAP1

CN113497187B权利要求书1/3页

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1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成包括模具层和支撑体层的模具堆叠层；

通过刻蚀所述模具堆叠层形成开口；

在位于所述开口中的所述支撑体层的暴露表面上选择性地生长支撑体加强层；

在形成有所述支撑体加强层的所述开口中形成底电极；以及

通过刻蚀所述支撑体层的一部分来形成支撑体开口，以形成支撑所述底电极的外壁的支撑体，

其中，所述支撑体层包括含氮材料，且所述支撑体加强层包括在所述支撑体层的暴露表面上选择性地生长的含氮材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述模具层和所述支撑体层中，所述支撑体加强层在所述支撑体层的暴露表面上选择性地生长。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体加强层完全覆盖所述支撑体层的暴露表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体加强层具有环绕所述底电极的外壁的闭环形状。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体加强层具有部分地环绕所述底电极的外壁的断环形状。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体加强层的侧面轮廓是弯曲形状、垂直形状和锥形形状中的一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体层具有多层结构。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体加强层具有多层结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体加强层具有多层结构，所述多层结构包括：闭环形状的支撑体加强层；以及断环形状的支撑体加强层，所述断环形状的支撑体加强层布置在比闭环形状的所述支撑体加强层高的层面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体层和所述支撑体加强层包括氮化硅、氮化硅碳、氮化硅硼或其组合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述模具层包括氧化硅，并且

所述支撑体层和所述支撑体加强层包括氮化硅。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑体层包括第一氮化硅，并且所述支撑体加强层包括从所述第一氮化硅选择性地生长的第二氮化硅。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述支撑体开口之后：

从所述模具堆叠层中去除所述模具层；

在所述底电极、所述支撑体加强层和所述支撑体上形成电介质层；以及

在所述电介质层上形成顶电极。

14.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述模具堆叠层之前：

在所述衬底中形成掩埋字线；以及

在所述衬底上方形成位线。

15.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述支撑体开口之后：

从所述模具堆叠层中去除所述模具层；以及

CN113497187B权利要求书2/3