CN112911799B 一种低寄生参数功率模块的封装结构及封装方法 （武汉羿变电气有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112911799B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202110372785.5

(22)申请日2021.04.07

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112911799A

(43)申请公布日2021.06.04

(73)专利权人武汉羿变电气有限公司

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2-1021(自贸区武汉片区)

(72)发明人黄志召康勇陈材刘新民熊勇李宇雄

(74)专利代理机构武汉瑞创星知识产权代理事务所(普通合伙)42274

专利代理师叶小勤

(51)Int.CI.

H05K1/18(2006.01)

H05K1/11(2006.01)

H05K1/14(2006.01)

H05K3/36(2006.01)

H05K3/40(2006.01)

H01L21/52(2006.01)

H01L21/54(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

H01L23/14(2006.01)

H01L23/58(2006.01)

H01L25/07(2006.01)

(56)对比文件

CN105914185A,2016.08.31

CN214381606U,2021.10.08

黄志召.《基于新型混合封装的高速低感SiC半桥模块》.《电力电子技术》.2017,第51卷(第12期),第20-22页.

审查员董巍

权利要求书3页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种低寄生参数功率模块的封装结构及封

装方法

(57)摘要

BCN1129117992本发明提供一种低寄生参数功率模块的封装结构及封装方法，包括PCB板，所述PCB板内置功率电路，所述PCB板包括上下设置且相互电气连接的上层PCB板和下层PCB板，位于所述上层PCB板和下层PCB板中的功率电路具有相反的电流流向；覆铜基板，包括绝缘导热层和覆在绝缘导热层上表面的DBC铜层，所述PCB板覆在DBC铜层上表面，功率开关管芯片固定于所述DBC铜层；所述功率开关管芯片与所述上层PCB板和所述下层

B

CN112911799

2

PCB板通路中电流方向相反，以互感抵消技术减小换流回路的寄生电感，双层PCB板中铜层的屏蔽效应减小寄生电容。

CN112911799B权利要求书1/3页

2

1.一种低寄生参数功率模块的封装结构，其特征在于，包括：

PCB板，所述PCB板内置功率电路，所述PCB板包括上下设置且相互电气连接的上层PCB板和下层PCB板，位于所述上层PCB板和下层PCB板中的功率电路具有相反的电流流向；

覆铜基板，包括绝缘导热层和覆在绝缘导热层上表面的DBC铜层，所述PCB板覆在DBC铜层上表面，功率开关管芯片固定于所述DBC铜层；所述覆铜基板还包括托底铜层，所述绝缘导热层夹在所述托底铜层和DBC铜层之间；

所述功率开关管芯片与所述上层PCB板和所述下层PCB板中的功率电路依次连接构成功率回路；

所述上层PCB板上设有驱动电路，所述功率开关管芯片的功率输出端通过功率键合线连接所述上层PCB板的功率电路，所述驱动电路通过驱动键合线连接所述功率开关管芯片的驱动端以驱动开启或者关闭所述功率开关管芯片，所述功率键合线与所述驱动键合线相互垂直；所述上层PCB板上表面还覆有上桥臂MOS管源极铜层、上桥臂MOS管栅极铜层、下桥臂MOS管源极铜层、下桥臂MOS管栅极铜层，所述上桥臂MOS管源极铜层、上桥臂MOS管栅极铜层、下桥臂MOS管源极铜层、下桥臂MOS管栅极铜层为驱动电路的四个连接端；

所述功率开关管芯片包括串联连接的上桥臂开关管芯片和下桥臂开关管芯片；

所述驱动电路通过多条驱动键合线连接所述上桥臂开关管芯片和下桥臂开关管芯片的源极和栅极以分别控制开关所述上桥臂开关管芯片和下桥臂开关管芯片开关；

外界输入电源通过所述PCB板上的输入端子连接所述上桥臂开关管芯片的漏极，所述上桥臂开关管芯片和下桥臂开关管芯片的源极均为功率输出端，所述上桥臂开关管芯片的源极通过对应的功率键合线连接所述上层PCB板，所述上层PCB板通过所述下层PCB板连接所述下桥臂开关管芯片的漏极，所述下桥臂开关管芯片的源极通过对应的功率键合