CN111640816B 异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法 （通威太阳能(金堂)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111640816B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202010525759.7

(22)申请日2020.06.10

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111640816A

(43)申请公布日2020.09.08

(73)专利权人通威太阳能(金堂)有限公司

地址610404四川省成都市金堂县淮口镇

金乐路东段1号(金堂工业园区内)

(72)发明人薛建锋王月斌余义苏世杰

王秀鹏石刚李岩

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理有限公司11463

专利代理师彭星

(51)Int.CI.

H10F10/166(2025.01)

H10F77/122(2025.01)

H10F77/1223(2025.01)

H10F19/00(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

(56)对比文件

CN102280502A,2011.12.14

CN109449227A,2019.03.08

CN110767760A,2020.02.07CN212874519U,2021.04.02审查员肖文霞

权利要求书5页说明书10页附图2页

(54)发明名称

异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法

(57)摘要

CN111640816B本发明提供了一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件和制造异质结太阳能电池片的方法。异质结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透光导电层以及电极。位于衬底层顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层均包括四层结构，这四层结构彼此不同。根据本发明，衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构，这四层结构彼此的成分均不相同，组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层

CN111640816B

N型掺杂层

第一红本征非晶硅

薄膜展

第二组本征非晶硅

薄膜层

P型掺杂层

正电极

正电极

透光导电展

N型掺杂层的第二层掺杂层

N型掺杂层的第一层掺杂层

第四层本征非品硅薄膜层

第三层本征非品础薄膜层

第二层本征非晶硅薄膜膜

第一层本征非晶硅薄膜层

单晶硅衬底层

第一层本征非晶硅薄膜展

第二层本征非晶硅薄膜层

第三层本征非晶硅薄膜层

第四层本征非品硅薄膜层

P型掺杂层的第一层掺杂层

P型掺杂层的第二层掺杂层

透光导电层

背电极

背电极

基体片

CN111640816B权利要求书1/5页

2

1.一种异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片包括基体片、设置在基体片的顶表面和底表面上的电极，其特征在于，基体片包括：单晶硅衬底层；两组本征非晶硅薄膜层，两组本征非晶硅薄膜层包括设置在单晶硅衬底层的顶侧的第一组本征非晶硅薄膜层和设置在单晶硅衬底层的底侧的第二组本征非晶硅薄膜层，第一组本征非晶硅薄膜层和第二组本征非晶硅薄膜层均各自包括从所述单晶硅衬底层指向电极的方向依次排布的以下四层结构：第一层本征非晶硅薄膜层，第一层本征非晶硅薄膜层为碳同族掺杂硅的整体层状结构；第二层本征非晶硅薄膜层，第二层本征非晶硅薄膜层为由硅源气氛沉积而成的整体层状结构；第三层本征非晶硅薄膜层，第三层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛的混合气体沉积而成的整体层状结构；第四层本征非晶硅薄膜层，第四层本征非晶硅薄膜层为由含氢气氛和含氘气氛中的至少一者和硅源气氛、碳源气氛的混合气体沉积而成的整体层状结构；N型掺杂层，N型掺杂层位于所述第一组本征非晶硅薄膜层的顶侧；P型掺杂层，所述P型掺杂层位于所述第二组本征非晶硅薄膜层的底侧；透光导电层，所述透光导电层分别设置在所述N型掺杂层的顶侧和所述P型掺杂层的底侧，并且所述电极设置在所述透光导电层的表面上。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，第一层本征非晶硅薄膜层为由硅烷掺杂烷烃、烯烃、炔烃中的至少一者的混合气体沉积而成的整体层状结构。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，第三层本征非晶硅薄膜层为由氢气和硅烷气体的量的比值为3-15的范围内的混合气体沉积而成的整体层状结构。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池片，其特征在于，第四层本征非晶硅薄膜层为由烷烃和氢气的量的比值在1/20-3/5的范围内的混合气体沉积而成的整体层状