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2026《碳化硅电机控制器桥臂串扰问题分析》4700字.docx

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    碳化硅电机控制器桥臂串扰问题分析

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    TOC\o1-3\h\u25467碳化硅电机控制器桥臂串扰问题分析 1

    127711.1SiC-MOSFET桥臂串扰产生机理分析 1

    107221.2SiC-MOSFET桥臂串扰抑制方法及原理 5

    113741.3仿真结果与分析 7

    由于碳化硅功率器件比传统硅基功率器件在开关速度、损耗以及耐压等级上具有明显优势，因此在新能源电机驱动领域具有广泛的应用前景。在三相桥式逆变电路中，当桥臂中功率器件的开关动作对同一桥臂的另一功率器件造成干扰，使其无法正常关断，会发生桥臂串扰现象，从而严重影响驱动电路的正常运行。

    SiC-

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