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AlN材料外延技术：从原理到多元应用的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，氮化铝（AlN）凭借其独特而卓越的物理性质，逐渐崭露头角，成为材料科学领域研究的焦点之一。AlN材料属于第三代半导体材料，拥有6.2eV的宽禁带，这使其具备在高温、高频以及高功率环境下稳定工作的能力，突破了传统半导体材料的应用局限。其高达321W/(m?K)的热导率，能够高效地传导热量，解决了电子器件在运行过程中的散热难题，对于提升器件的性能和可靠性意义重大。特别是在5G通信、新能源汽车、航空航天等前沿领域，对高功率、高性能电子器件的需求与日俱增，AlN材料的优势得以充分