β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管中的单粒子烧毁机制分析.pdfVIP

上海航天（中英文）

第42卷2025年第4期AEROSPACESHANGHAI（CHINESEENGLISH）81

β-GaO肖特基势垒二极管中的单粒子烧毁机制分析

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李幸，马腾，钟思檑，彭超，张鸿，张战刚，雷志锋

（工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性技术全国重点实验室，广东广州511370）

摘要:本研究深入探讨了重离子和高能质子辐照条件下，β-GaO肖特基势垒二极管（SBD）的单粒子烧毁

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（SEB）现象。实验表明：反向偏压是影响β-GaOSBD失效的关键因素，仅当反向偏压达到一定临界值时，器件才

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会发生SEB，且反向偏压越高，烧毁发生时间越短。通过计算机辅助设计技术（TCAD）仿真和扫描电子显微镜

（SEM）分析，本研究进一步揭示了SEB的机理，表明辐照引起的高电场和电子-空穴对的积累是导致SEB的主要

原因。高能质子和重离子辐照引发的热效应和电场增强，使器件局部过热，从而导致SEB的发生。该成果为优化

β-GaO器件设计、提升其在高辐射环境下的抗辐照能力，提供了理论指导和工程参考，具有重要的应用价值。

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关键词:β-GaO功率器件；肖特基势垒二极管（SBD）；Kr离子；高能质子；反向偏压

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中图分类号:TN403；TM93；V520.2文献标志码:ADOI:10.19328/ki.2096‐8655.2025.04.009

引用格式：李幸，马腾，钟思檑，等.β-GaO肖特基势垒二极管中的单粒子烧毁机制分析［J］.上海航天（中英

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文），2025，42（4）：81-88.

AnalysisofSingle-eventBurnoutMechanisminβ-GaOSchottkyBarrierDiodes

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LIXing，MATeng，ZHONGSilei，PENGChao，ZHANGHong，ZHANGZhangang，LEIZhifeng

（KeyLaboratoryofPhysicalReliabilityofElectronicComponentsandTheirAppliedTechnology，FifthResearch