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课后限时练13带电粒子在立体空间中的运动(思维进阶课)

说明：单选题每小题4分，多选题每小题6分，本试卷总分48分

1．(多选)半导体掺杂是集成电路生产中最基础的工作。如图所示为某晶圆掺杂机的简化模型图，平行金属板A、B加上电压UAB，产生竖直方向的匀强电场；两电磁线圈间的圆柱形磁场视为匀强磁场，磁感应强度与电流I成正比。离子发生器产生的电量为＋q、质量为m的离子，以速度v0沿电场的中央轴线飞入电场，当UAB＝0、I＝0时，离子恰好打到晶圆圆心O(0，0)点。已知晶圆垂直纸面放置，晶圆面内Oxy坐标系中，x轴为水平方向、y轴为竖直方向，掺杂过程中，离子全部打在晶圆上，忽略离子的重力和空气阻力。则在掺杂过程中()

A．UAB越大，离子穿过极板的时间越短

B．UAB越大，离子在竖直方向上的位移越小

C．当UAB＝0、I≠0时，离子打在x轴上

D．离子打在晶圆上时，其动能与电流I大小无关

2．(多选)如图所示，空间存在沿x轴正方向的匀强电场和匀强磁场，电场强度大小为E，磁感应强度大小为B。t＝0时刻，质子以初速度v0从坐标原点O沿y轴正方向射出，已知质子质量为m，电荷量为e。重力不计，则()

A．t＝πmeB时刻，质子的速度沿

B．t＝πmeB

C．质子可多次经过x轴，且依次经过x轴的坐标值之比为1∶4∶9∶…

D．质子运动轨迹在Oyz平面内的投影是以O点为圆心的圆

3．半导体芯片制造中，常通过离子注入进行掺杂来改变材料的导电性能。如图是离子注入的工作原理示意图，离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器，通过速度选择器的离子经过磁分析器和偏转系统，注入水平面内的晶圆(硅片)。速度选择器中电场强度的大小为E、方向竖直向上。速度选择器、磁分析器中的磁感应强度方向均垂直纸面向外，大小分别为B1、B2。偏转系统根据需要加合适的电场或者磁场。磁分析器截面的内外半径分别为R1和R2，入口端面竖直，出口端面水平，两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统下边缘与晶圆所在水平面平行，当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直注入晶圆上的O点(即图中坐标原点)。整个系统置于真空中，不计离子重力及其进入加速电场的初速度。下列说法正确的是()

A．可以利用此系统给晶圆同时注入带正电的离子和带负电的离子

B．从磁分析器下端孔N离开的离子，其比荷为2

C．如果偏转系统只加沿x轴正方向的磁场，则离子会注入x轴正方向的晶圆上

D．只增大加速电场的电压，可使同种离子注入到晶圆更深处

4．(16分)(2024·山东潍坊三模节选)如图所示的O-xyz坐标系中，0x3l的Ⅰ区域内有沿z轴正方向的匀强磁场，在x3l的Ⅱ区域内有沿y轴正方向的匀强电场。一带电量为＋q、质量为m的粒子从y轴上的点P(0，2l，0)以速度v0沿x轴正方向射入Ⅰ区域，从点Q进入Ⅱ区域。粒子在Ⅱ区域内，第二次经过x轴时粒子位于N点，且速度方向与x轴正方向夹角β＝π4。已知Ⅰ区域磁场的磁感应强度大小为B0＝m

(1)求粒子经过Q点时速度方向与x轴正方向夹角α；

(2)求匀强电场的电场强度E；

(3)求粒子从P到N所用的时间(以v0，l表示)。

5．(16分)(2025·江西上饶一模节选)如图所示的空间直角坐标系O-xyz中，有一边长为L的立方体区域，该区域内(含边界)有沿y轴正方向的匀强磁场，磁感应强度B＝3mv0qL。质量为m、电荷量为＋q的带电粒子以初速度v0从

(1)求粒子离开立方体区域时位置坐标；

(2)若在该区域再加一个沿y轴负方向的匀强电场，粒子仍从a点以初速度v0沿x轴正方向进入该区域后从Ob′之间某点离开，求所加电场的电场强度以及粒子离开立方体区域时的速度v1大小(结果不必化成小数，保留根式)。