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《模拟电子技术基础简明教程（第三版）》课后习题答案详解

主编：杨素行出版社：高等教育出版社

说明：本答案详解严格对应教材章节编排，涵盖各章“习题与思考题”及“Multisim仿真练习题”核心题型。解题遵循“知识点定位—解题思路—步骤拆解—答案总结”逻辑，兼顾基础巩固与能力提升，适用于电气信息类专业学生课后复习及自学参考。

第一章半导体器件

核心知识点梳理

半导体基础：本征半导体载流子特性、杂质半导体（N型/P型）的导电机制；

PN结：单向导电性原理、伏安特性方程（i=I(e-1)）；

半导体二极管：伏安特性、主要参数（I、I、U）、稳压管工作原理；

双极结型三极管（BJT）：结构（NPN/PNP）、电流分配关系（I=I+I，I≈βI）、特性曲线（输入/输出特性）、主要参数；

场效应管（FET）：结型（JFET）与绝缘栅型（MOSFET）的工作原理、转移特性与输出特性。

经典习题详解

习题1-3：判断二极管工作状态并计算电流（硅管，U=0.7V）

题目：电路如图所示（略，典型电路：二极管D串联电阻R后接直流电源，电源电压U=5V，R=1kΩ，二极管正极接电源正极），判断二极管工作状态，计算流过二极管的电流I。

解题思路：二极管工作状态判断核心是“假设断开法”——假设二极管断开，计算其两端电位差，若正向电位差≥导通电压（硅管0.7V）则导通，否则截止；导通后按恒压降模型（U=0.7V）计算电流，截止时电流为0。

解题步骤：

假设断开二极管D，其阳极电位V=5V，阴极电位V=0V（接地），则V-V=5V0.7V，故二极管导通；

导通后U=0.7V，根据基尔霍夫电压定律（KVL）：U=U+IR；

变形计算电流：I=(U-U)/R=(5-0.7)/1×10=4.3mA。

答案总结：二极管工作在导通状态，流过的电流为4.3mA。

习题1-8：三极管电流分配关系计算

题目：已知NPN型三极管的I=20μA，β=50，忽略I，求I、I及电流放大系数α。

解题思路：三极管电流分配核心公式为I≈βI（忽略I时）、I=I+I，α与β的关系为α=β/(1+β)。

解题步骤：

计算集电极电流：I=βI=50×20μA=1000μA=1mA；

计算发射极电流：I=I+I=20μA+1000μA=1020μA≈1.02mA；

计算电流放大系数α：α=β/(1+β)=50/(1+50)≈0.98。

答案总结：I=1mA，I≈1.02mA，α≈0.98。

Multisim仿真练习题提示

仿真核心：通过Multisim搭建二极管伏安特性测试电路，观察不同温度下二极管导通电压的变化规律。操作步骤：1.选取硅二极管（如1N4007）、直流电源、滑动变阻器、电压表、电流表；2.搭建串联电路，逐步调节滑动变阻器改变加在二极管两端的电压；3.记录不同电压下的电流值，绘制伏安特性曲线；4.改变环境温度，重复测试，观察导通电压随温度升高而降低的特性（温度每升高1℃，导通电压约降低2-3mV）。

第二章放大电路的基本原理和分析方法

核心知识点梳理

放大电路核心指标：电压放大倍数A、输入电阻r、输出电阻r；

单管共射放大电路：组成原理、静态工作点（Q点：I、I、U）的作用；

分析方法：直流通路与交流通路的绘制、静态工作点近似估算、微变等效电路法（BJT微变等效模型：r、β）；

Q点稳定：分压式静态工作点稳定电路的工作原理；

放大电路三种组态：共射、共集、共基的性能对比；

多级放大电路：耦合方式（阻容耦合、直接耦合）、电压放大倍数计算（A=A×A×…）。

经典习题详解

习题2-5：分压式共射放大电路静态工作点估算

题目：分压式共射放大电路中，U=12V，R=20kΩ，R=10kΩ，R=2kΩ，R=1kΩ，三极管β=50，U=0.7V，忽略基极电流对分压点的影响，求静态工作点Q（I、I、U）。

解题思路：分压式电路静态分析核心是“先求基极电位V，再求发射极电流I，最后求I和U”，忽略I时V由分压公式计算。

解题步骤：

计算基极电位V：V=U×R/(R+R)=12×10/(20+10)=4V；

计算发射极电流I：由V=U+IR，得I=(V-U)/R=(4-0.7)/1×10=3.3mA；

计算集电极电流I：忽略I时，I≈I=3.3mA；

计算基极电流I：I=I/β=3.3mA/50=66μA；

计算集-射极电压U：由KVL，U=U-IR-IR≈U-I(R+R)=12-3.3×(2+1)=2.1V。

答案总结：静态工作点Q为I=66μA，I=3.3mA，U=2.1V。

习题2-10：微变等效电路法求电压放大倍数、输入输出电阻

题目：承接习题2-5电路，已知三极管r=1kΩ，求电压放大倍数A、输入电阻r、输出电阻r。

解题思路：微变等效电路法核心是将三极管替换为微变模型，