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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN120274922A(43)申请公布日2025.07.08
(21)申请号202510678349.9
G01N
29/46(2006.01)
(22)申请日2025.05.26
H01L
21/67(2006.01)
GO6Q
10/0639(2023.01)
(71)申请人深圳市先进连接科技有限公司
GO6Q
50/04(2012.01)
地址518000广东省深圳市宝安区沙井街
道后亭社区后亭茅洲山工业园工业大
GO6FG16C
30/398(2020.01)60/00(2019.01)
厦全至科技创新园科创大厦20层F
GO6T
17/00(2006.01)
(72)发明人岑玮吴昊
GO6F
18/2131(2023.01)
(74)专利代理机构深圳汉林汇融知识产权代理
GO6F
18/25(2023.01)
事务所(普通合伙)44850专利代理师刘临利
(51)Int.CI.
GO6NGO6F
GO6F
GO6F
3/08(2023.01)
111/04(2020.01)
111/08(2020.01)
111/10(2020.01)
GO1L1/25(2006.01)
GO6F
119/08(2020.01)
G01L25/00(2006.01)
GO6F
119/14(2020.01)
G01N29/06(2006.01)
GO1N29/44(2006.01)
GO6F
123/02(2023.01)
权利要求
书3页
说明书14页附图1页
(54)发明名称
一种功率半导体器件的封装烧结评估方法及装置
(57)摘要
CN120274922A本发明提供了一种功率半导体器件的封装烧结评估方法及装置,该方法包括:利用高频声学显微技术进行非破坏性扫描,并结合温度-声速关系模型进行校正,实现烧结过程的实时监测,解决无法捕捉瞬态变化的问题。通过频域转换和改进的反向傅里叶变换算法,实现了烧结界面微观结构的精确重建,克服现有技术难以评估微观结构的局限。基于重建的微观结构,建立了详细的三维几何模型并进行时域有限元分析,获得了全面的热应力演变数据,弥补传统方法表面信息的不足。利用多维特征空间和预设判别模型进行定量化评估,实现了对烧结质量的全面分析,克服了缺乏全面定量评估能力的缺陷。通过
CN120274922A
利用高频声学显微技术对功率半导体器件进行非破坏性
利用高频声学显微技术对功率半导体器件进行非破坏性扫描计算,得到功率半导体器件的初步应力分布数据,并利用同步记录的器件表面温度分布和预先建立的温度
-声速关系模型,对初步应力分布数据进行温度补偿校正,得到三维应力分布图
对三维应力分布图进行频域转换,得到频域信息,并通
过改进的反向傅里叶变换算法对频域信息进行空间域转
换和修正,得到烧结界面的微观结构模型
基于烧结界面的微观结构模型,建立包含芯片、烧结层
、散热基板的三维几何模型,并根据三维几何模型进行
时域有限元分析,得到功率半导体器件在不同工作周期
下的热应力演变数据
利用三维应力分布图、烧结界面的微观结构模型和热应
力演变数据,构建多维特征空间,将多维特征空间的特
征输入预设的判别模型,得到功率半导体器件烧结质量
的定量化评估结果
101
102
103
104
CN120274922A权利要求书1/3页
2
1.一种功率半导体器件的封装烧结评估方法,其特征在于,所述功率半导体器件的封装烧结评估方法包括:
利用高频声学显微技术对功率半导体器件进行非破坏性扫描计算,得到功率半导体器件的初步应力分布数据,并利用同步记录的器件表面温度分布和预先建立的温度-声速关系模型,对所述初步应力分布数据进行温度补偿校正,得到三维应力分布图;
对所述三维应力分布图进行频域转换,得到频域信息,并通过改进的反向傅里叶变换算法对所述频域信息进行空间域转换和修正,得到烧结界面的微观结构模型;
基于所述烧结界面的微观结构模型,建立包含芯片、烧结层、散热基板的三维几何模型,并根据所述三维几何模型进行时域有限元分析,得到功率半导体器件在不同工作周期下的热应力演变数据;
利用所述三维应力分布图、烧结界面的微观结构模型和热应力演变数据,构建多维特征空间,将所述多维特征空间的特征输入预设的判别模型,
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