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2025年（微电子科学与技术）半导体制造工艺试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.半导体制造工艺中，光刻的主要目的是（）

A.形成晶体管结构B.掺杂杂质C.去除氧化层D.沉积金属层

答案：A

2.以下哪种材料常用于半导体制造中的栅极（）

A.硅B.二氧化硅C.多晶硅D.金属铜

答案：C

3.离子注入是一种（）工艺。

A.光刻B.掺杂C.刻蚀D.氧化

答案：B

4.化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.沉积绝缘层B.光刻图形转移C.去除杂质D.测量半导体特性

答案：A

5.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.作为刻蚀掩膜B.提供掺杂源C.增强导电性D.保护半导体表面

答案：A

6.湿法刻蚀的特点不包括（）

A.选择性好B.成本低C.图形精度高D.可能存在侧向腐蚀

答案：C

7.半导体制造中，退火工艺的主要作用是（）

A.消除晶格缺陷B.增加杂质浓度C.提高光刻精度D.降低芯片功耗

答案：A

8.以下哪种不是常见的半导体掺杂元素（）

A.硼B.磷C.碳D.砷

答案：C

9.物理气相沉积（PVD）可用于沉积（）

A.金属层B.氧化层C.光刻胶D.掺杂剂

答案：A

10.半导体制造工艺中，清洗的主要目的是（）

A.去除表面杂质B.改变半导体性能C.增加芯片尺寸D.提高光刻分辨率

答案：A

11.光刻中曝光光源的波长越短，光刻分辨率（）

A.越高B.越低C.不变D.先高后低

答案：A

12.离子注入的能量和剂量会影响（）

A.光刻效果B.掺杂浓度和分布C.氧化层厚度D.芯片功耗

答案：B

13.化学气相沉积过程中，气体的（）对沉积质量有重要影响。

A.流量B.颜色C.气味D.密度

答案：A

14.湿法刻蚀中，刻蚀速率与（）有关。

A.光刻胶厚度B.半导体材料类型C.芯片封装形式D.测试设备精度

答案：B

15.退火温度过高可能导致（）

A.杂质扩散过快B.光刻胶脱落C.芯片尺寸减小D.氧化层生长过快

答案：A

16.以下哪种光刻技术常用于先进制程（）

A.紫外光刻B.电子束光刻C.可见光光刻D.X射线光刻

答案：B

17.半导体制造中，外延生长是在（）基础上生长一层新的半导体材料。

A.绝缘层B.金属层C.已有半导体衬底D.光刻胶层

答案：C

18.物理气相沉积中常用的方法不包括（）

A.蒸发B.溅射C.化学镀D.离子镀

答案：C

19.光刻工艺中，显影的目的是（）

A.去除未曝光的光刻胶B.增强光刻胶附着力C.改变光刻胶颜色D.提高光刻胶硬度

答案：A

20.半导体制造工艺中，工艺集成的目的是（）

A.简化工艺流程B.提高芯片性能C.降低成本D.以上都是

答案：D

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（共10题，每题2分，共20分）

1.半导体制造工艺主要包括____、____、____等多个环节。

答案：光刻、掺杂、刻蚀

2.光刻工艺的主要步骤包括涂胶、____、____、显影。

答案：曝光、烘烤

3.化学气相沉积常用的反应气体有____、____等。

答案：硅烷、氨气

4.离子注入的杂质元素有____、____等。

答案：硼、磷

5.湿法刻蚀常用的刻蚀液有____、____等。

答案：氢氟酸、硫酸

6.退火工艺可分为____退火和____退火。

答案：快速热退火、炉内退火

7.物理气相沉积可分为____和____。

答案：蒸发、溅射

8.光刻胶可分为____光刻胶和____光刻胶。

答案：正性光刻胶、负性光刻胶

9.半导体制造中，氧化工艺可形成____层。

答案：二氧化硅

10.工艺集成需要考虑各工艺之间的____和____。

答案：兼容性、协同效应

三、简答题（共4题，每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的原理。

答案：光刻是通过光刻胶将掩膜版上的图形转移到半导体表面的工艺。首先在半导体表面涂覆光刻胶，然后通过曝光使光刻胶发生化学反应，再经过显影去除未曝光部分的光刻胶，从而在半导体表面留下与掩膜版图形一致的光刻胶图案，以此作为后续工艺的掩膜。

2.说明离子注入掺杂