2025年（微电子科学与技术）半导体器件模拟试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）半导体器件模拟试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体中参与导电的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子和空穴D.离子

答案：C

2.本征半导体中自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.不确定

答案：C

3.P型半导体中，多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.中子

答案：B

4.N型半导体是在本征半导体中掺入（）价元素形成的。

A.三B.五C.四D.六

答案：B

5.二极管的正向导通电压一般为（）

A.0.1V-0.3VB.0.5V-0.7VC.1V-3VD.5V-7V

答案：B

6.三极管处于放大状态时，发射结（），集电结（）。

A.正偏，正偏B.正偏，反偏C.反偏，正偏D.反偏，反偏

答案：B

7.场效应管是通过改变（）来控制漏极电流的。

A.栅源电压B.漏源电压C.栅极电流D.漏极电流

答案：A

8.半导体器件的温度升高时，其性能会（）

A.变好B.变差C.不变D.不确定

答案：B

9.稳压二极管工作在（）状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.不确定

答案：C

10.集成运算放大器的输入级一般采用（）电路。

A.共发射极B.共基极C.差分放大D.功率放大

答案：C

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体的导电性能介于______和______之间。

答案：导体，绝缘体

2.杂质半导体分为______型和______型。

答案：P，N

3.二极管的主要特性是______。

答案：单向导电性

4.三极管有______、______、______三个电极。

答案：发射极，基极，集电极

5.场效应管分为______型和______型。

答案：结型，绝缘栅型

6.半导体器件的参数主要有______、______、______等。

答案：电流放大倍数，反向电流，击穿电压

7.集成运算放大器由______、______、______、______四部分组成。

答案：输入级，中间级，输出级，偏置电路

8.稳压二极管的稳压原理是利用其______特性。

答案：反向击穿

9.半导体器件在电路中的作用主要有______、______、______等。

答案：放大，整流，开关

10.半导体材料的主要特性有______、______、______等。

答案：热敏性，光敏性，掺杂性

三、简答题（总共4题，每题5分）

1.简述P型半导体和N型半导体的形成过程。

u答：在本征半导体中掺入三价元素形成P型半导体，掺入的三价元素最外层有三个电子，与硅或锗原子形成共价键时会产生一个空穴，空穴成为多数载流子。在本征半导体中掺入五价元素形成N型半导体，掺入的五价元素最外层有五个电子，多余的一个电子成为自由电子，自由电子成为多数载流子。/u

2.说明二极管正向导通和反向截止的工作原理。

u答：二极管正向导通时，外加正向电压使外电场削弱内电场，多数载流子的扩散运动加强，形成较大的正向电流。二极管反向截止时，外加反向电压使外电场加强内电场，多数载流子的扩散运动受到抑制，只有少数载流子的漂移运动，形成很小的反向电流，可近似认为二极管截止。/u

3.简述三极管放大作用的外部条件。

u答：三极管放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏可使发射区的多数载流子顺利注入基区，集电结反偏能使基区中少数载流子被集电区收集，从而实现电流放大。/u

4.解释场效应管的跨导概念。

u答：场效应管的跨导是指栅源电压变化量与由此引起的漏极电流变化量之比。它反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，跨导越大，场效应管的放大能力越强。/u

四、判断题（总共10题，每题2分）

1.半导体中不存在自由电子。（）

答案：×

2.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）

答案：×

3.二极管加正向电压时一定能导通。（）

答案：×

4.三极管的电流放大倍数只与管子本身结构有关。（）

答案：×

5.场效应管是电流控制型器件。（）

答案：×

6.半导体器件的参数不会随温度变化。（）

答案：×

7.稳压二极管在任何情况下都能稳压。（）

答案：×

8.集成运算放大器只能放大直流信号。（）