2025年（微电子科学与技术）三维集成电路技术试题及答案.docVIP

2025年（微电子科学与技术）三维集成电路技术试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将每题正确答案的序号填在括号内。每题2分，共40分。

1.以下哪项不是三维集成电路技术的优势？（）

A.提高集成度B.降低功耗C.增加芯片面积D.提升性能

2.三维集成电路技术中垂直互连的主要作用是（）

A.传输信号B.供电C.散热D.存储数据

3.三维集成电路的堆叠层数一般受到什么因素限制？（）

A.工艺复杂度B.成本C.散热问题D.以上都是

4.目前常用于三维集成电路制造的底层技术是（）

A.CMOSB.BICMOSC.GaAsD.SOI

5.三维集成电路技术中，层间介质材料需要具备的特性不包括（）

A.良好的绝缘性B.高导热性C.与芯片材料兼容性好D.高导电性

6.以下哪种封装方式适合三维集成电路？（）

A.塑料封装B.陶瓷封装C.倒装芯片封装D.引脚网格阵列封装

7.三维集成电路设计中，需要重点考虑的功耗来源不包括（）

A.逻辑电路功耗B.互连功耗C.封装功耗D.芯片制造功耗

8.实现三维集成电路垂直互连的工艺方法不包括（）

A.通孔技术B.倒装芯片技术C.印刷电路板技术D.硅通孔技术

9.三维集成电路技术在以下哪个领域应用前景最广？（）

A.传统家电B.汽车电子C.高端计算D.照明

10.三维集成电路技术发展面临的主要挑战不包括（）

A.设计复杂度高B.制造成本高C.市场需求不足D.散热困难

11.三维集成电路中，顶层芯片与底层芯片通过什么进行电气连接？（）

A.金属导线B.光纤C.空气桥D.硅通孔

12.三维集成电路技术中，对于芯片堆叠顺序的规划主要基于（）

A.功能需求B.美观需求C.成本需求D.封装需求

13.评估三维集成电路性能的关键指标不包括（）

A.时钟频率B.芯片尺寸C.功耗D.良品率

14.三维集成电路技术中，为了提高芯片间通信速度，常采用的技术是（）

A.降低电压B.增加缓存C.高速互连技术D.优化逻辑电路

15.以下哪种材料不适用于三维集成电路的层间介质？（）

A.二氧化硅B.氮化硅C.铜D.低介电常数聚合物

16.三维集成电路技术中，芯片堆叠时如何解决热膨胀系数差异问题？（）

A.选择热膨胀系数相近的材料B.增加散热片C.降低工作温度D.采用柔性封装

17.三维集成电路设计中，如何优化布线以减少互连延迟？（）

A.采用最短路径布线B.增加布线层数C.使用更粗的导线D.减少信号翻转

18.三维集成电路技术在物联网设备中的应用优势不包括（）

A.提高集成度B.降低功耗C.增加设备体积D.提升性能

19.三维集成电路技术中，对于芯片堆叠高度的控制主要是为了满足（）

A.散热要求B.封装要求C.性能要求D.以上都是

20.以下哪种技术有助于提高三维集成电路的良品率？（）

A.先进的光刻技术B.增加测试次数C.降低芯片工作频率D.采用更厚的层间介质

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

1.简答题（每题5分，共三、标题自拟，(总共4题，每题5分)。

-1：简述三维集成电路技术中垂直互连的基本原理及作用。

_垂直互连通过硅通孔等技术，在不同层芯片间建立电气连接。作用是实现各层芯片间信号传输，打破二维集成电路平面布线限制，提高芯片间通信速度和数据传输效率，提升整体性能，满足复杂系统集成需求。_

-2：说明三维集成电路技术在降低功耗方面的主要措施。

_采用低功耗工艺，如优化CMOS电路；合理规划芯片堆叠顺序和互连方式，减少信号传输损耗；利用层间介质低介电常数特性降低互连电容功耗；根据功能需求动态调整芯片工作状态，实现功耗优化。_

-3：分析三维集成电路技术面临的主要设计挑战。

_设计复杂度大幅增加，需考虑不同层芯片功能协同、垂直互连布局、信号同步等；功耗管理更复杂，各层功耗相互影响；热管理困难，堆叠芯片散热问题突出；测试难度增大，需开发针对三维结构的测试方法。_

-4：阐述三维集成电路技术在5G通信领域的应用潜力。

_可大幅提高基站和终端设备芯片集成度，缩小体积；通过高速垂直互连提升信号处理和传输速度，满足5G高频高速