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2025年（微电子科学与工程）光刻技术试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.光刻技术的核心是（）

A.曝光系统B.光刻胶C.掩膜版D.显影技术

2.光刻技术中，分辨率主要取决于（）

A.曝光波长B.光刻胶厚度C.掩膜版精度D.显影时间

3.以下哪种光刻技术常用于大规模集成电路制造（）

A.紫外光刻B.电子束光刻C.X射线光刻D.离子束光刻

4.光刻胶的作用是（）

A.保护硅片B.记录图形C.提供光刻图形D.增强光刻精度

5.光刻过程中，曝光剂量过大可能导致（）

A.图形分辨率降低B.光刻胶脱落C.显影不完全D.图形变形

6.光刻技术的发展趋势是朝着（）方向发展。

A.更高分辨率B.更低成本C.更大尺寸D.以上都是

7.电子束光刻的优点是（）

A.分辨率高B.速度快C.成本低D.适合大规模生产

8.光刻胶的感光度与（）有关。

A.曝光波长B.显影液C.光刻胶成分D.掩膜版图案

9.光刻技术中，对准精度主要影响（）

A.图形尺寸B.图形位置C.光刻胶质量D.曝光效果

10.以下哪种光刻技术对环境要求较高（）

A.紫外光刻B.电子束光刻C.X射线光刻D.离子束光刻

11.光刻胶的分辨率与（）有关。

A.光刻胶颗粒大小B.曝光时间C.显影温度D.掩膜版材质

12.光刻技术中，曝光时间过长可能导致（）

A.光刻胶过度曝光B.图形分辨率提高C.显影时间缩短D.图形边缘光滑

13.光刻技术的应用领域不包括（）

A.集成电路制造B.光电器件制造C.印刷电路板制造D.汽车制造

14.光刻胶的显影方式有（）

A.浸泡式B.喷雾式C.旋转式D.以上都是

15.光刻技术中，掩膜版的制作精度要求（）

A.很高B.一般C.较低D.无要求

16.电子束光刻的缺点是（）

A.分辨率低B.速度慢C.成本高D.不适合大规模生产

17.光刻胶的固化温度与（）有关。

A.光刻胶成分B.曝光剂量C.显影液D.掩膜版图案

18.光刻技术中，曝光均匀性主要影响（）

A.图形尺寸一致性B.图形位置精度C.光刻胶质量D.曝光效果

19.以下哪种光刻技术可用于制作纳米级图形（）

A.紫外光刻B.电子束光刻C.X射线光刻D.离子束光刻

20.光刻胶的使用寿命与（）有关。

A.储存温度B.曝光时间C.显影温度D.掩膜版材质

答案：1.A2.A3.A4.B5.A6.D7.A8.C9.B10.B11.A12.A13.D14.D15.A16.BCD17.A18.A19.BCD20.A

第II卷（非选择题，共60分）

一、填空题（每题2分，共10题，20分）

1.光刻技术主要包括____、____、____等步骤。

2.光刻胶按化学性质可分为____和____。

3.曝光系统主要由____、____、____等部分组成。

4.光刻技术的分辨率计算公式为____。

5.掩膜版的制作工艺包括____、____、____等。

6.光刻胶的主要性能指标有____、____、____等。

7.电子束光刻的原理是利用____扫描硅片表面，使光刻胶发生____。

8.光刻技术中，常用的曝光光源有____、____、____等。

9.光刻胶的显影过程中，显影液的浓度和温度对显影效果有____影响。

10.光刻技术的发展历程经历了____、____、____等阶段。

二、判断题（每题2分，共10题，20分）

1.光刻技术只能用于集成电路制造。（）

2.光刻胶的感光度越高越好。（）

3.电子束光刻适合制作大规模集成电路。（）

4.光刻技术中，曝光剂量越大，图形分辨率越高。（）

5.掩膜版的图案精度对光刻图形没有影响。（）

6.光刻胶的分辨率与光刻胶颗粒大小无关。（）

7.光刻技术的对准精度主要取决于曝光系统。（）

8.光刻胶的显影时间越长，显影效果越好。（）

9.光刻技术的