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2026年硬件笔试题计算题及答案

已知某8层PCB上有一条单端微带线，铜厚35μm，走线宽度w=180μm，介质高度h=100μm，相对介电常数εr=3.8，损耗角正切tanδ=0.02，走线长度L=28cm，信号上升时间tr=50ps，驱动器输出阻抗Rs=30Ω，接收端为CMOS输入，等效电容Cin=1.2pF，工作温度55℃，铜电阻率温度系数α=0.00393℃?1，铜在20℃时的体积电阻率ρ20=1.68×10??Ω·m。

（1）计算该微带线的特性阻抗Z0与有效介电常数εeff，要求使用Hammerstad-Jensen公式，保留四位小数。

（2）计算55℃时单位长度直流电阻Rdc，并估算10GHz时的单位长度交流电阻Rac，考虑趋肤深度与表面粗糙度，表面粗糙度因子Kr=1.4。

（3）计算信号在28cm走线上的单程传播延迟Tpd。

（4）将走线视为有损传输线，给出10GHz时单位长度总损耗αtotal（dB/m），包含导体损耗αc与介质损耗αd。

（5）若驱动器发送一个1V幅度的阶跃，接收端首次到达0.9V所需时间t90（考虑RC充电与反射），给出详细迭代过程，保留三位小数。

（6）若将走线改为差分微带线，间距s=200μm，其余参数不变，求奇模阻抗Zodd与差分阻抗Zdiff，使用偶奇模叠加法，保留三位小数。

（7）在差分模式下，若驱动器为400mV峰-峰值的电流模式逻辑CML，源阻抗100Ω（差分），接收端100Ω差分终端，走线仍28cm，计算10GHz时接收端眼图高度（mV），给出完整链路损耗预算表。

（8）若将单端走线改为嵌入带状线，位于中间两层铜之间，上下介质对称，总高度2h=200μm，εr不变，重新计算Z0与εeff，并与微带结果对比差异百分比。

（9）假设整条走线均匀分布20颗0.8pF的焊盘电容，间距14mm，建立分布式RLGC模型，求5GHz时近端串扰NEXT（dB），使用耦合线理论，耦合长度14mm，aggressor与victim线间距250μm，线宽不变。

（10）在（9）的分布式模型基础上，若victim端接50Ω对地电阻，aggressor发送1V方波，占空比50%，频率5GHz，计算victim线上峰值串扰电压（mV），并给出时域波形采样点（每20ps一个点，共20个周期）。

解答：

（1）Hammerstad-Jensen公式

先求形状比u=w/h=180/100=1.8

零厚度特性阻抗

Z0,0=60ln((8h/w)+(w/4h))

=60ln(8/1.8+1.8/4)

=60ln(4.4444+0.45)

=60ln(4.8944)

=60×1.5882

=95.292Ω

厚度修正系数ΔZ

ΔZ=(t/h)×(h/w)×9.6/(0.8+(t/h))

t=35μm,h=100μm→t/h=0.35

ΔZ=0.35×(1/1.8)×9.6/(0.8+0.35)

=0.35×0.5556×9.6/1.15

=1.8667/1.15

=1.623Ω

因此Z0=Z0,0?ΔZ=95.292?1.623=93.669Ω

有效介电常数

εeff=(εr+1)/2+(εr?1)/2×(1+10h/w)^?0.5

=(3.8+1)/2+(3.8?1)/2×(1+10/1.8)^?0.5

=2.4+1.4×(1+5.5556)^?0.5

=2.4+1.4×(6.5556)^?0.5

=2.4+1.4/2.5604

=2.4+0.5468

=2.9468

（2）直流电阻

铜在55℃的电阻率

ρ55=ρ20[1+α(55?20)]

=1.68×10??×(1+0.00393×35)

=1.68×10??×1.13755

=1.911×10??Ω·m

截面积A=w×t=180×10??×35×10??=